[發明專利]具有色散補償外腔的鎖模半導體激光二極管

在審

• 申請號: 201280054166.0
• 申請日: 2012-11-09
• 公開（公告）號: CN103918143A
• 公開（公告）日: 2014-07-09
• 發明（設計）人: 河野俊介;倉本大;宮島孝夫;幸田倫太郎;渡邊秀輝
• 申請（專利權）人: 索尼公司
• 主分類號: H01S5/065
• 分類號: H01S5/065;H01S5/14;H01S5/00;H01S5/343
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 余剛;吳孟秋

1.一種半導體激光設備，包括：鎖模半導體激光裝置和包括色散補償系統的外部諧振器，其中，所述半導體激光設備被配置為生成自調制、將負群速度色散引入到所述外部諧振器中并且在所述外部諧振器之后提供光譜過濾。

2.根據權利要求1所述的半導體激光設備，其中，所述鎖模半導體激光裝置為雙段激光裝置。

3.根據權利要求2所述的半導體激光設備，其中，所述雙段激光裝置包括氮化鎵基激光二極管。

4.根據權利要求1所述的半導體激光設備，進一步包括被配置為提供光譜過濾的波長選擇器件。

5.根據權利要求1所述的半導體激光設備，其中，所述鎖模半導體激光裝置包括層壓結構，所述層壓結構包括多個半導體層，其中，至少一個半導體層與至少一個發射區域和至少一個可飽和吸收區域相關聯，并且其中，所述至少一個發射區域和所述至少一個可飽和吸收區域被平行布置在所述外部諧振器的方向上。

6.根據權利要求5所述的半導體激光設備，其中，所述鎖模半導體激光裝置具有脊條型分限異質結構和傾斜脊條型分限異質結構中的任何一種。

7.根據權利要求5所述的半導體激光設備，進一步包括將與所述至少一個半導體層相關聯的電極分離成至少第一部分和第二部分的至少一個分離槽。

8.根據權利要求1所述的半導體激光設備，其中，所述外部諧振器包括所述鎖模半導體激光裝置的第一端面、以及反射鏡和部分反射鏡中的至少一個。

9.根據權利要求8所述的半導體激光設備，其中，所述外部諧振器的長度為所述鎖模半導體激光裝置的所述第一端面與所述反射鏡和所述部分反射鏡中的至少一個之間的距離。

10.根據權利要求9所述的半導體激光設備，其中，所述外部諧振器的長度小于1500微米。

11.根據權利要求10所述的半導體激光設備，其中，所述半導體激光設備被配置為改變所述外部諧振器的長度，從而將所述負群速度色散引入所述外部諧振器中。

12.根據權利要求1所述的半導體激光設備，其中，所述色散補償光學系統包括衍射光柵、棱鏡、干涉儀、反射鏡和聚光器件中的至少一個。

13.根據權利要求1所述的半導體激光設備，其中，所述半導體激光設備被配置為允許以飛秒的脈沖時間寬度水平來生成光脈沖。

14.一種生成光脈沖的方法，所述方法包括：

提供一種半導體激光設備，所述半導體激光設備包括鎖模半導體激光裝置、外部諧振器和所述外部諧振器中的色散補償光學系統；

通過利用所述半導體激光設備生成自調制、將負群速度色散引入所述外部諧振器中并且在所述外部諧振器之后提供光譜過濾來生成所述光脈沖。

15.根據權利要求14所述的方法，進一步包括：生成具有約飛秒的脈沖時間寬度的所述光脈沖。

16.根據權利要求15所述的方法，其中，所述鎖模半導體激光裝置為雙段激光裝置。

17.根據權利要求16所述的方法，其中，所述雙段激光裝置包括氮化鎵基激光二極管。

18.根據權利要求14所述的方法，其中，所述鎖模半導體激光裝置包括層壓結構，所述層壓結構包括多個半導體層，其中，至少一個半導體層與至少一個發射區域和至少一個可飽和吸收區域相關聯，其中，所述至少一個發射區域和所述至少一個可飽和吸收區域被平行布置在所述外部諧振器的方向上。

19.根據權利要求14所述的方法，其中，所述外部諧振器包括所述鎖模半導體激光裝置的第一端面以及反射鏡和部分反射鏡中的至少一個。