[發明專利]太陽能電池及其制備方法

有效

• 申請號: 201280054136.X
• 申請日: 2012-06-19
• 公開（公告）號: CN103907199A
• 公開（公告）日: 2014-07-02
• 發明（設計）人: 李東根
• 申請（專利權）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224;H01L31/06;H01L31/18
• 代理公司: 北京鴻元知識產權代理有限公司 11327
• 代理人: 許向彤;陳英俊

1.一種太陽能電池，包括：

在支撐基板上的背電極層；

將所述背電極層分成多個背電極的第一通孔；

在所述背電極層中的第一接觸圖形；

形成在所述背電極層上的光吸收層，該光吸收層包括在所述第一接觸圖形上的第二接觸圖形；以及

在所述光吸收層上的前電極層。

2.如權利要求1所述的太陽能電池，其中，所述第二接觸圖形形成在與所述第一接觸圖形對應的區域中。

3.如權利要求1所述的太陽能電池，其中，所述支撐基板通過所述第一接觸圖形部分地露出。

4.如權利要求1所述的太陽能電池，其中，所述第一接觸圖形包括多個相互隔開的接觸凸起。

5.如權利要求4所述的太陽能電池，其中，所述每個接觸凸起以點、線、棒、管或者凹凸結構的形式形成。

6.如權利要求4所述的太陽能電池，其中，所述接觸凸起的間距在1μm到10μm范圍內。

7.如權利要求4所述的太陽能電池，其中，所述每個接觸凸起的寬度在1μm到10μm范圍內。

8.如權利要求1所述的太陽能電池，進一步包括在所述背電極層與所述光吸收層之間的接觸電阻增加層。

9.如權利要求8所述的太陽能電池，其中，所述接觸電阻增加層包含MoSe₂或MoS₂。

10.如權利要求1所述的太陽能電池，其中，所述第二接觸圖形通過所述光吸收層形成。

11.一種制備太陽能電池的方法，該方法包括：

在支撐基板上形成背電極層；

在所述背電極層上形成光吸收層；

通過所述光吸收層形成第二接觸層，使得所述背電極層通過所述第二接觸層部分地露出；

對通過所述第二接觸層露出的背電極層進行刻蝕，從而形成第一接觸圖形；以及

在所述光吸收層、所述第二接觸圖形和所述第一接觸圖形上形成前電極層。

12.如權利要求11所述的方法，其中，所述背電極層的形成包括：

在所述支撐基板上覆蓋背電極材料；以及

利用第一通孔將所述背電極材料圖形化，從而形成多個背電極。

13.如權利要求11所述的方法，其中，所述第一接觸圖形的形成包括：對通過所述第二接觸圖形露出的背電極層進行刻蝕，從而形成多個接觸凸起。

14.如權利要求11所述的方法，其中，每個接觸凸起以點、線、棒、管或者凹凸結構的形式形成。

15.如權利要求14所述的方法，其中，所述接觸凸起之間的間距在1μm到10μm范圍內。

16.如權利要求14所述的方法，其中，每個接觸凸起的寬度在1μm到10μm范圍內。

17.如權利要求11所述的方法，其中，所述第二接觸圖形在與所述第一接觸圖形對應的區域中形成。