[發明專利]熱塑性液晶聚合物薄膜以及使用其的層疊體和電路基板

有效

• 申請號: 201280053901.6
• 申請日: 2012-10-09
• 公開（公告）號: CN103917582B
• 公開（公告）日: 2017-11-24
• 發明（設計）人: 小野寺稔;砂本辰也;松永修始;今野貴文
• 申請（專利權）人: 株式會社可樂麗
• 主分類號: C08J5/18
• 分類號: C08J5/18;H05K1/03;H05K3/46;B32B15/08;B32B37/10
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司11219
• 代理人: 金龍河,穆德駿

關聯申請

本申請要求2011年10月31日在日本申請的特愿2011-238323的優先權，將其全部內容作為參照援引作為本申請的一部分。

技術領域

本發明涉及能夠抑制加熱前后的相對介電常數發生變化的熱塑性液晶聚合物薄膜以及使用了該熱塑性液晶薄膜的層疊體和電路基板。

背景技術

近年來，個人計算機等信息處理領域、移動電話等無線通信領域開始蓬勃發展。在這些領域之中，為了提升信息處理速度，需要實現基板的傳輸速度的提升以及在高頻區域的低傳輸損失。介電系數越低，則信號的傳輸速度越接近高速。進而，介電系數越低，波形的變形越小，因此正在探討低介電系數的高頻電路基板的開發。

以往，在這樣的用途中開始使用陶瓷，但是存在難以加工、價格昂貴的問題，理想的是將材料變更為容易加工且價格低廉的有機材料。例如，作為有機材料，提案有使用以介電特性優良的氟樹脂作為電絕緣層的基板(以下，稱作PTFE基板)或者以耐熱性優良的聚酰亞胺作為電絕緣層的基板(以下，稱為PI基板)。

但是，就PTFE基板而言，氟樹脂本身具有優良的高頻特性、耐濕性，然而受到為了提高尺寸穩定性所使用的玻璃布等的影響，基板整體的高頻特性及耐濕性較低。就PI基板而言，其高頻特性比PTFE基板更大幅度地劣化，而且吸濕性大，因吸濕而使高頻特性極度惡化。

為此，在專利文獻1(日本特開平11-309803號公報)中公開了多層層疊板及其制造方法、以及多層實裝電路基板。

在該文獻中公開了一種多層層疊板，其特征在于，預先利用熱壓接將多個由能夠形成光學各向異性的熔融相的聚合物制作的薄膜與被粘物的層疊體接合，在接合后的狀態下鄰接的一個層疊體的被粘物與另一個層疊體的被粘物相對置時，在兩者之間安裝有中間薄片，該中間薄片包含由能夠形成光學各向異性的熔融相的聚合物制作的薄膜，上述層疊體的薄膜和中間薄片為同一化學組成，且對鄰接的薄膜和中間薄片賦予互不相同的耐熱性。

此外，專利文獻2(日本特開2000-263577號公報)中公開了金屬箔層疊板的制造方法及金屬箔層疊板。

在該文獻中公開了一種金屬箔層疊板的制造方法，其特征在于，其是將包含由能夠形成光學各向異性的熔融相的熱塑性聚合物形成的薄膜(以下，將其稱作熱塑性液晶聚合物薄膜)和金屬箔的構成材料疊合，并夾持于平坦的金屬板之間，將多組此構成的組合堆積，并安裝于對置的加熱加壓盤之間，進行加熱壓制而制造金屬箔層疊板的方法，其中，在安裝于對置的加熱加壓盤之間后進行如下工序：(1)第一工序，其是不進行加壓而加熱至以比熱塑性液晶聚合物薄膜的熔點低30℃的溫度作為上限的預熱溫度的預熱工序；(2)第二工序，其是在保持2kg/cm²以下的壓制壓力下由預熱溫度加熱至選自比熱塑性液晶聚合物薄膜的熔點低5℃的溫度以上且比該熔點高5℃的溫度以下的范圍的層疊溫度的升溫工序；(3)第三工序，其是在層疊溫度下加壓至選自20kg/cm²～50kg/cm²的范圍的壓制壓力的加壓工序；以及(4)第四工序，其是在保持加壓工序的壓制壓力下冷卻至比熱塑性液晶聚合物薄膜的熔點低30℃以上的冷卻溫度的冷卻工序，此時，用30分鐘以內的時間進行第二工序至第四工序，且在30torr以下的減壓狀態下進行第一工序至第四工序；接著，進行(5)第五工序，其是解除加壓和減壓狀態而取出金屬箔層疊板的排出工序。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1:日本特開平11-309803號公報

專利文獻2:日本特開2000-263577號公報

發明內容

發明要解決的問題

但是，在這些專利文獻所公開的由多層層疊板或金屬箔層疊板制作出的電路中，有時會使電路設計值與實際性能無法整合，在此種情況下，需要重復試制電路。

因此，本發明的目的在于提供即使加熱也能夠抑制其介電特性的變化的熱塑性液晶聚合物薄膜。

本發明的另一目的在于在上述目的基礎上提供一種熱塑性液晶聚合物薄膜，其即使在溫度/水分環境發生變動的情況、尤其是在高溫和/或高濕條件下曝露薄膜的情況下，也能顯示優良的介電特性。

本發明的又一目的在于提供使用了此種熱塑性液晶聚合物薄膜的層疊體及電路基板。

本發明的其他目的在于提供有效地制造此種層疊體或電路基板的方法。

用于解決問題的手段