[發明專利]用于制造光電子半導體構件的方法和光電子半導體激光器

無效

• 申請號: 201280053838.6
• 申請日: 2012-09-19
• 公開（公告）號: CN103918142A
• 公開（公告）日: 2014-07-09
• 發明（設計）人: 克里斯托夫·艾克勒;森克·陶茨
• 申請（專利權）人: 歐司朗光電半導體有限公司
• 主分類號: H01S5/028
• 分類號: H01S5/028
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 丁永凡;李德山

1.一種用于制造光電子半導體構件(1)的方法，具有下述步驟：

-在生長襯底(3)上外延地生長具有至少一個有源層的半導體層序列(2)，

-在所述半導體層序列(2)和所述生長襯底(3)上成形正面小平面(4)，其中所述正面小平面(4)構建為用于在制成的所述半導體構件(1)中產生的輻射(R)的主要光出射側，

-借助用于在制成的所述半導體構件(1)中產生的輻射(R)的阻光層(5)對所述正面小平面(4)的一部分進行覆層，其中所述阻光層(5)借助定向的覆層方法來生成并且在覆層時借助于通過所述生長襯底(3)和/或通過至少一個遮光條(6)的遮蔽來進行所述阻光層(5)的結構化，所述遮光條設置在所述生長襯底(3)上和/或所述生長襯底(3)旁邊。

2.根據上一項權利要求所述的方法，其中制造半導體激光器和/或半導體激光條，并且其中在將所述生長襯底(3)中的多個或將所述生長襯底(3)中的多個連同所述遮光條(6)中的多個編排成條架(8)時，生成所述阻光層(6)。

3.根據上一項權利要求所述的方法，其中在至少兩個相鄰的生長襯底(3)之間不存在遮光條(6)，其中所述生長襯底(3)的所述正面小平面(4)彼此平行地并且在垂直于所述正面小平面(4)中的一個的方向上彼此錯開地設置。

4.根據上述權利要求中的任一項所述的方法，其中在用所述阻光層(5)覆層時，至少一個所述遮光條(6)突出于所述正面小平面(4)并且覆層方向(B)傾斜于所述正面小平面(4)定向。

5.根據上述權利要求中的任一項所述的方法，其中在用所述阻光層(5)覆層時，至少一個所述遮光條(6)突出于所述正面小平面(4)并且具有凸出部(7)，其中在所述正面小平面(4)的俯視圖中觀察，所述凸出部(7)部分地覆蓋所述正面小平面(4)，并且在用所述阻光層(5)覆層時，通過所述凸出部(7)進行遮蔽。

6.根據上述權利要求中的任一項所述的方法，其中在用所述阻光層(5)覆層時，在垂直于所述正面小平面(4)的方向上，所述半導體層序列(2)在所述正面小平面(4)上的光出射區域(9)沒有被所述生長襯底(3)和/或所述遮光條(6)遮蓋。

7.根據上述權利要求中的任一項所述的方法，其中沿著垂直于所述半導體層序列(2)的生長方向(G)的橫向方向通過遮蔽以結構化的方式施加所述阻光層(5)，使得所述阻光層(5)施加在橫向地位于所述光出射區域(9)的旁邊的至少一個區域中。

8.一種光電子半導體激光器(1)，具有

-生長襯底(3)，

-構建成用于產生激光輻射(R)的半導體層序列(2)，

-在所述半導體層序列(2)和所述生長襯底(3)上的正面小平面(4)，其中所述正面小平面(4)為用于在所述半導體構件(1)中產生的激光輻射(R)的主要光出射側并且在所述半導體層序列(2)上具有光出射區域(9)，和

-用于激光輻射(R)的阻光層(5)，所述阻光層在所述正面小平面(4)上至少部分地覆蓋所述生長襯底(3)，使得所述光出射區域(9)沒有被所述阻光層(5)覆蓋。

9.根據上一項權利要求所述的光電子半導體激光器(1)，其中所述阻光層(5)具有交替地彼此緊隨的第一子層和第二子層(5a，5b)，

其中所述子層具有λ/4的光學厚度，其中公差為最高λ/7，所述第一子層和/或第二子層(5b)包括吸收波長為λ的激光輻射的材料，并且

所述阻光層(5)總共包含在2個和20個之間的所述子層(5a，5b)，其中包括邊界值。

10.根據權利要求8或9所述的光電子半導體激光器(1)，其中所述光電子半導體激光器在所述半導體層序列(2)的背離所述生長襯底(3)的一側上包括焊盤(10)，

其中至少在所述光出射區域(9)處在所述焊盤(10)和所述阻光層(5)之間的間距(d)在0.1μm和100μm之間，其中包括邊界值。

11.根據權利要求8至10中的任一項所述的光電子半導體激光器(1)，其中所述阻光層(5)包括半導體材料，所述半導體材料具有小于激光輻射的波長λ的能帶邊緣，和/或其中所述阻光層(5)通過金屬層形成或者包括這種層。