[發明專利]薄膜晶體管陣列基板和液晶顯示裝置有效
| 申請號: | 201280053786.2 | 申請日: | 2012-10-24 |
| 公開(公告)號: | CN104024933A | 公開(公告)日: | 2014-09-03 |
| 發明(設計)人: | 居山裕一;吉岡孝兼;津田和彥 | 申請(專利權)人: | 夏普株式會社 |
| 主分類號: | G02F1/1343 | 分類號: | G02F1/1343;G09F9/30 |
| 代理公司: | 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322 | 代理人: | 龍淳 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 薄膜晶體管 陣列 液晶 顯示裝置 | ||
1.一種薄膜晶體管陣列基板,其具有薄膜晶體管元件、柵極總線和源極總線,該薄膜晶體管陣列基板的特征在于:
該薄膜晶體管陣列基板具有電極,
該電極包含第一電極和第二電極,
該第一電極包含沿源極總線的線狀部分,
該第一電極包含沿柵極總線的線狀部分,
該沿源極總線的線狀部分的至少一個在俯視基板主面時,相對于該沿柵極總線的線狀部分橫向設置,在與柵極總線重疊的位置與薄膜晶體管元件的漏極電極連接,
該第二電極為面狀電極。
2.如權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板,其特征在于:
所述第一電極為一對梳齒電極,
該一對梳齒電極中的一個梳齒電極包含沿源極總線的線狀部分,
該一對梳齒電極中的另一個梳齒電極包含沿柵極總線的線狀部分,
該沿源極總線的線狀部分的至少一個在俯視基板主面時,相對于該沿柵極總線的線狀部分橫向設置,在與柵極總線重疊的位置與薄膜晶體管元件的漏極電極連接。
3.如權利要求1或2所述的薄膜晶體管陣列基板,其特征在于:
所述沿源極總線的線狀部分在俯視基板主面時比所述沿柵極總線的線狀部分長。
4.如權利要求1~3中任一項所述的薄膜晶體管陣列基板,其特征在于:
所述源極總線包含能夠沿該源極總線同時驅動至少兩個像素的至少兩條源極總線。
5.如權利要求1~4中任一項所述的薄膜晶體管陣列基板,其特征在于:
所述第一電極按每個像素配置,
所述沿柵極總線的線狀部分通過像素的中央,
分別配置在沿所述源極總線相鄰的兩個像素中的第一電極,具有在俯視基板主面時彼此反轉的結構。
6.如權利要求2所述的薄膜晶體管陣列基板,其特征在于:
所述薄膜晶體管陣列基板中,與一個像素重疊的源極總線至少有四條,從像素的外側向內一條的兩條源極總線分別與所述一對梳齒電極中的一個梳齒電極電連接或與所述一對梳齒電極中的另一個梳齒電極電連接。
7.如權利要求2或6所述的薄膜晶體管陣列基板,其特征在于:
所述薄膜晶體管陣列基板中,與一個像素重疊的源極總線至少有四條,從像素的外側向內一條的兩條源極總線與所述一對梳齒電極的外側的線狀部分連接。
8.如權利要求1~7中任一項所述的薄膜晶體管陣列基板,其特征在于:
所述面狀電極在源極總線方向的像素間或柵極總線方向的像素間共用地連接。
9.如權利要求1~8中任一項所述的薄膜晶體管陣列基板,其特征在于:
所述薄膜晶體管元件包含氧化物半導體。
10.如權利要求1~9中任一項所述的薄膜晶體管陣列基板,其特征在于:
所述第一電極為用于產生橫向電場的電極。
11.一種液晶顯示裝置,其特征在于:
所述液晶顯示裝置具備權利要求1~10中任一項所述的薄膜晶體管陣列基板。
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