[發明專利]用于將涂層施涂到成卷形式的基底的方法

有效

• 申請號: 201280053711.4
• 申請日: 2012-10-26
• 公開（公告）號: CN104040022A
• 公開（公告）日: 2014-09-10
• 發明（設計）人: 比爾·H·道奇;小大衛·K·西納德爾;馬特哈津·昂;阿爾廷·馬爾格哈里安
• 申請（專利權）人: 3M創新有限公司
• 主分類號: C23C16/44
• 分類號: C23C16/44;C23C16/448
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 張爽;郭國清

相關申請的交叉引用

本申請要求2011年10月31日提交的美國臨時申請序列號61/553,564的優先權，其公開內容全文以引用方式并入本文。

技術領域

本公開涉及用于將涂層施涂到成卷形式的基底的方法，并且更具體地涉及使用原子層沉積將涂層施涂到成卷的基底的至少一個邊緣面。

背景技術

以成卷形式提供的產品(如粘合帶的卷)通常通過將液體組合物施涂(如通過施涂)到未成卷的基底的主表面而制備，至少部分地固化或干燥在基底上的組合物，并且然后將支承固化或干燥的組合物的基底卷繞到圓柱形芯體或芯軸上，以便產生施涂產品的卷。通過在垂直于主表面的方向上切穿成卷的基底，可以將卷隨后切割成寬度更小的卷。

然而，一些施涂方法并非意圖將液體施涂到基底上，而是將氣相材料施涂到基底。一種此類示例性氣相施涂工藝是原子層沉積(ALD)。原子層沉積最初為在制造薄膜電致發光(TFEL)平板顯示器中使用而開發。對ALD的關注已經在過去幾年顯著增加，主要集中在制造微電子器件中有用的硅基基底(如晶片)上，這是由于這種方法能夠在原子水平上控制這些膜的成分和厚度來生產非常薄、適形的膜。

ALD另外已經用于施涂在牙科復合材料中存在的填料顆粒，如在國際專利公布No.WO2009/045752(Kalgutkar等人)中所述。最近，ALD已經用于施涂分立的基底片(美國專利No.6,713,177B2，George等人)，用于施涂纖維基底(美國專利公布No.2009/0137043，Parsons等人)，以及使用連續的卷到卷幅材處理系統(美國專利公布No.2010/0189900，Dickey等人)。

發明內容

在一個方面，本公開以方法為特色，更具體地提供用于處理基底的方法，甚至更具體地提供用于將涂層施涂到成卷形式的基底的方法，基底包括：第一邊緣面，以及與所述第一邊緣面相對的第二邊緣面，其中所述基底包括第一主表面和與所述第一主表面相對的第二主表面，第一主表面和第二主表面在第一邊緣面和第二邊緣面之間延伸，以及將涂層施涂到成卷形式的基底的至少一個邊緣面。在一些示例性實施例中，該方法包括將涂層施涂到成卷形式的至少一個邊緣面和一個主表面的至少一部分。

在一些示例性實施例中，施涂涂層是使用原子層沉積、分子層沉積或它們的組合執行的。在某些示例性實施例中，施涂涂層包括逐步原子層沉積涂層，其中所述逐步原子層沉積涂層包括反復傳輸兩種或更多種反應性氣體穿過成卷形式的基底，以在成卷形式的基底的至少一個邊緣面和一個主表面的至少一部分上引起兩種或更多種自限制反應。

在任何前述方法的另外的示例性實施例中，將涂層施涂到第一主表面和第二主表面中的每一個的至少一部分。在一些示例性實施例中，將涂層施涂到第一主表面或第二主表面中的一個的至少一部分。在某些此類示例性實施例中，將涂層施涂到整個第一主表面和兩個邊緣面。在其它的此類示例性實施例中，將涂層施涂到整個第二主表面和兩個邊緣面。

在任何前述方法的某些示例性實施例中，基底還包括多個穿孔，多個穿孔中的每一個具有內周邊壁，內周邊壁在第一主表面和第二主表面之間延伸。在一些此類示例性實施例中，多個穿孔中的至少一個包括孔屑，孔屑附接到多個穿孔中的至少一個的內周邊壁。在一些此類示例性實施例中，多個穿孔中的每一個包括孔屑，孔屑附接到多個穿孔中的每一個的對應內周邊壁。在任何前述此類方法的另外的示例性實施例中，每個孔屑包括暴露的邊緣周邊，并且進一步地，其中將涂層施涂到至少一個孔屑的暴露的邊緣周邊。在另外的此類示例性實施例中，將涂層施涂到每個孔屑的暴露的邊緣周邊。

在前述方法的另外的示例性實施例中，將涂層施涂到多個穿孔中的至少一個的內周邊壁的至少一部分。在一些此類示例性實施例中，將涂層施涂到多個穿孔中的至少一個的整個內周邊壁。在另外的此類示例性實施例中，將涂層施涂到多個穿孔中的每一個的整個內周邊壁。

在任何前述方法中，基底可包括柔性膜、纖維網或它們的組合。在一些示例性實施例中，基底是微孔的。在某些示例性實施例中，基底還包括(共)聚合物。

在任何前述方法中，涂層可包括無機材料。任選地，無機材料包括至少一種鋁、硅、鈦、錫、鋅、或它們的組合的氧化物。

在另一方面，根據任何的前述方法制備成卷形式的制品。