[發(fā)明專利]太陽能電池無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201280053618.3 | 申請日： | 2012-09-02 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN103975449A | 公開（公告）日： | 2014-08-06 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | A.羅赫特菲爾德;A.格杰 | 申請（專利權(quán)）人： | 安伯韋弗公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L31/078 | 分類號(hào)： | H01L31/078;H01L31/0687;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 馬麗娜;徐紅燕 |
| 地址： | 美國新罕*** | 國省代碼： | 美國;US |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 太陽能電池 | ||
1.一種多太陽能電池結(jié)構(gòu)，包括：
基板；
漸變緩沖層，其在基板上生長；
在漸變緩沖層內(nèi)的第一太陽能子電池；以及
第二太陽能子電池，其在第一太陽能子電池的頂部上生長。
2.權(quán)利要求1的多太陽能電池結(jié)構(gòu)，其中，所述基板是硅，所述漸變緩沖層組份是漸變硅鍺，并且所述第二太陽能子電池由GaAsP或其它III-V材料組成。
3.權(quán)利要求1的多太陽能電池結(jié)構(gòu)，還包括在第二太陽能子電池的頂部上的頂部接觸。
4.權(quán)利要求1的多太陽能電池結(jié)構(gòu)，其中，所述基板是具有n型摻雜材料的單晶硅基板。
5.權(quán)利要求1的多太陽能電池結(jié)構(gòu)，其中，所述基板是冶金級(jí)單晶硅。
6.權(quán)利要求1的多太陽能電池結(jié)構(gòu)，其中，所述漸變緩沖層是具有每微米約10%—25%鍺的漸變率的SiGe。
7.權(quán)利要求1的多太陽能電池結(jié)構(gòu)，其中，所述漸變緩沖層具有70—85%鍺組份的最終漸變SiGe層。
8.權(quán)利要求1的多太陽能電池結(jié)構(gòu)，還包括與漸變緩沖層對接且與漸變緩沖層的最終鍺組份近似匹配的背表面場層。
9.權(quán)利要求1的多太陽能電池結(jié)構(gòu)，還包括在第一太陽能子電池與第二太陽能子電池之間的隧道結(jié)。
10.權(quán)利要求9的多太陽能電池結(jié)構(gòu)，還包括在隧道結(jié)與第二太陽能子電池之間的過渡層。
11.一種制作多結(jié)太陽能電池的方法，包括如下動(dòng)作：
提供硅基板；
在基板上生長硅鍺漸變緩沖層；
在漸變緩沖層內(nèi)或頂部上生長第一太陽能子電池基極層和第一太陽能子電池發(fā)射極層；以及
在第一太陽能子電池吸收體層和第一太陽能子電池發(fā)射極層的頂部上生長GaAsP或其它III-V材料的第二太陽能子電池基極層和第二太陽能子電池發(fā)射極層。
12.權(quán)利要求11的制作多結(jié)太陽能電池的方法，還包括如下動(dòng)作：
在第二太陽能子電池基極層和第二太陽能子電池發(fā)射極層的頂部上構(gòu)造頂部接觸并在頂部接觸的頂部上構(gòu)造透明基板。
13.權(quán)利要求11的制作多結(jié)太陽能電池的方法，還包括如下動(dòng)作：
去除硅基板的一部分。
14.權(quán)利要求11的制作多結(jié)太陽能電池的方法，其中，所述基板是冶金級(jí)單晶硅。
15.權(quán)利要求11的制作多結(jié)太陽能電池的方法，其中，所述漸變緩沖層是具有每微米約10%—25%鍺的漸變率的SiGe。
16.權(quán)利要求11的制作多結(jié)太陽能電池的方法，其中，所述漸變緩沖層具有70—85%鍺組份的最終漸變SiGe層。
17.權(quán)利要求11的制作多結(jié)太陽能電池的方法，還包括如下動(dòng)作：
構(gòu)造與漸變緩沖層對接且與漸變緩沖層的最終鍺組份近似匹配的背表面場層。
18.權(quán)利要求11的制作多結(jié)太陽能電池的方法，還包括如下動(dòng)作：
在第一太陽能子電池與第二太陽能子電池之間構(gòu)造隧道結(jié)。
19.權(quán)利要求18的制作多結(jié)太陽能電池的方法，還包括如下動(dòng)作：
在隧道結(jié)與第二太陽能子電池之間構(gòu)造過渡層。
20.一種多太陽能電池結(jié)構(gòu)，包括：
具有n型摻雜的單晶硅基板；
在基板上生長的硅鍺漸變緩沖層，具有每微米約10%—25%鍺的漸變率和70—85%鍺組份的最終等級(jí)；
在漸變緩沖層上的SiGe的第一太陽能子電池；
在第一太陽能子電池的頂部上生長的GaAsP或其它III-V材料的第二太陽能子電池；以及
在第一太陽能子電池與第二太陽能子電池之間的隧道結(jié)和在隧道結(jié)與第二太陽能子電池之間的過渡層。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個(gè)或多個(gè)電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
