[發明專利]離子產生裝置和電設備

有效

• 申請號: 201280053574.4
• 申請日: 2012-10-17
• 公開（公告）號: CN103918146A
• 公開（公告）日: 2014-07-09
• 發明（設計）人: 伊達和治
• 申請（專利權）人: 夏普株式會社
• 主分類號: H01T23/00
• 分類號: H01T23/00;H01T19/04
• 代理公司: 北京市隆安律師事務所 11323
• 代理人: 權鮮枝

1.一種離子產生裝置，包括：

高電壓產生電路；以及

離子產生元件，從所述高電壓產生電路輸出的高電壓或者基于從所述高電壓產生電路輸出的所述高電壓產生的電壓被提供給所述離子產生元件，

其中所述高電壓產生電路包括：

電容器，其存儲輸入直流電壓或者通過對所述輸入直流電壓進行DC/DC轉換獲得的電壓；

高電壓變壓器，其將從連接到初級側的所述電容器輸出的電壓升壓而在次級側輸出高電壓；

開關元件，其連接到所述高電壓變壓器的所述初級側，并且通過導通和斷開間歇地傳導所述高電壓變壓器的所述初級側的電流；以及

脈沖信號產生部，其產生用于控制所述開關元件的所述導通和斷開的脈沖信號，并且

所述脈沖信號產生部調節導通期間的脈沖寬度，使得所述導通期間的所述脈沖寬度基本等于將所述高電壓變壓器的正向操作時的輸出電壓頻率的倒數乘以四分之一獲得的時間，在所述導通期間，所述脈沖信號使所述開關元件保持導通。

2.根據權利要求1所述的離子產生電路，

其中由所述脈沖信號產生部調節的所述導通期間的所述脈沖寬度可變。

3.根據權利要求1或2所述的離子產生裝置，

其中所述開關元件直接由所述脈沖信號驅動。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的離子產生裝置，

其中所述電容器存儲所述輸入直流電壓。

5.根據權利要求1至4中任一項所述的離子產生裝置，

其中所述電容器是陶瓷電容器或薄膜電容器。

6.根據權利要求1至5中任一項所述的離子產生裝置，

其中所述開關元件是MOS-FET。

7.根據權利要求1至5中任一項所述的離子產生裝置，

其中所述開關元件是雙極晶體管。

8.根據權利要求1至5中任一項所述的離子產生裝置，

其中所述開關元件是IGBT。

9.根據權利要求1至8中任一項所述的離子產生裝置，

其中所述脈沖信號產生部是利用軟件控制所述脈沖信號的產生的微控制器。

10.根據權利要求1至8中任一項所述的離子產生裝置，

其中所述脈沖信號產生部是利用硬件控制所述脈沖信號的產生的專用電路。

11.一種電設備，包括：

權利要求1至10中任一項所述的離子產生裝置；以及

排出部，其用于將由所述離子產生裝置產生的離子排出到所述離子產生裝置的外部。