[發明專利]生成替換默認讀取閾值的系統和方法

無效

• 申請號: 201280053546.2
• 申請日: 2012-10-25
• 公開（公告）號: CN103975391A
• 公開（公告）日: 2014-08-06
• 發明（設計）人: S.貞;S.程
• 申請（專利權）人: 桑迪士克科技股份有限公司
• 主分類號: G11C16/26
• 分類號: G11C16/26
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 萬里晴

技術領域

本公開涉及一種在存儲器系統中更新默認(default)讀取閾值。

背景技術

諸如通用串行總線(USB)閃存設備或可移除存儲卡的非易失性存儲器設備已允許數據和軟件應用的增加的便攜性。閃存設備可以通過在每一個閃存單元中存儲多個比特來增加數據存儲密度。例如，多級單元(MLC)閃存設備通過在每單元存儲3比特、在每單元存儲4比特或更多而提供增加的存儲密度。

在單個閃存單元中存儲多個比特的信息通常包括將比特序列映射為閃存單元的狀態。例如，第一比特序列“110”可以與閃存單元的第一狀態對應，并且第二比特序列“010”可以與閃存單元的第二狀態對應。在確定將在特定閃存單元中存儲比特序列時，可以將閃存單元編程為與所述比特序列對應的狀態。

一旦存儲器設備中的存儲器單元已編程，就可以通過比較單元閾值電壓和一個或多個讀取閾值而感測存儲器單元的編程狀態來從存儲器單元讀取數據。然而，由于諸如數據保留和編程干擾情況的一個或多個因素，感測到的編程狀態有時可能與寫入的編程狀態不同。可以更新讀取閾值以減少由與寫入的編程狀態不匹配的感測到的編程狀態產生的數據錯誤數量。然而，在存儲器的一部分中選擇以減少錯誤的讀取閾值可能引起當從存儲器的另一部分讀取數據時錯誤增加。

發明內容

至少部分基于默認讀取閾值和更新的讀取閾值的替換默認讀取閾值的生成可以提高多級單元(MLC)NAND閃存系統中的錯誤校正能力。例如，與僅使用更新的讀取閾值相比較，可以通過基于默認讀取閾值和更新的讀取閾值的加權平均值生成替換默認讀取閾值來實現改進的錯誤校正能力。

附圖說明

圖1是生成存儲器的替換默認讀取閾值的系統的第一示意性實施例的框圖；

圖2是示出可以由圖1的存儲器表現的讀取閾值和讀取電壓分布的示例的圖；

圖3是生成替換默認讀取閾值的系統的第二示意性實施例的框圖；

圖4是示出使用默認讀取閾值從存儲器讀取數據，以及響應于遇到與使用默認讀取閾值從存儲器讀取的數據相關聯的錯誤校正編碼操作故障，在使用更新的讀取閾值從存儲器讀取數據之后，執行使用替換讀取閾值的隨后的存儲器讀取的示例的框圖；

圖5是示出生成替換默認讀取閾值的方法的具體實施例的流程圖；以及

圖6是示出使用默認讀取閾值、更新的讀取閾值和替換默認讀取閾值從存儲器讀取數據的方法的具體實施例的流程圖。

具體實施方式

提供更新的讀取閾值以減少隨著存儲器老化在整個存儲器上存儲的數據的總體訪問錯誤的解碼技術可以在數據存儲設備尺寸減小和存儲密度增加時提供改進的性能。與僅使用更新的讀取閾值相比較，至少部分基于默認讀取閾值和更新的讀取閾值的替換默認讀取閾值的生成能夠提高多級單元(MLC)NAND閃存系統中的錯誤校正能力。

生成替換默認讀取閾值的系統和方法使用默認讀取閾值從數據存儲設備中的存儲器讀取數據。響應于遇到與使用默認讀取閾值從存儲器讀取的數據相關聯的錯誤校正編碼操作故障，使用更新的讀取閾值從存儲器讀取數據。至少部分基于默認讀取閾值和更新的讀取閾值生成替換默認讀取閾值。向存儲器發送替換默認讀取閾值以在隨后的讀取操作中使用。

參考圖1，生成替換默認讀取閾值的系統的具體示意性實施例被描繪并總體表示為100。系統100包括與主機設備130耦接的數據存儲設備102。數據存儲設備102包括經由總線150與存儲器104耦接的控制器106。例如，總線150可以是安全數字(SD)總線。

數據存儲設備102可以是存儲卡，諸如安全數字卡、微型卡、迷你SD.TM卡(特拉華州、威爾明頓、SD-3C LLC的商標)、多媒體卡.TM(MMC.TM)卡(佛吉尼亞州、阿靈頓、JEDEC固態技術協會的商標)或壓縮閃存(CF)卡(加利福尼亞州、米爾皮塔斯、SanDisk公司的商標)。作為另一示例，數據存儲設備102可以是在主機設備130中嵌入的存儲器，作為示意性示例，諸如(佛吉尼亞州、阿靈頓、JEDEC固態技術協會的商標)和eSD存儲器。