[發明專利]制造ZnMgO膜的方法

無效

• 申請號: 201280053151.2
• 申請日: 2012-10-25
• 公開（公告）號: CN103890230A
• 公開（公告）日: 2014-06-25
• 發明（設計）人: 前川諒介;粟野宏基;松永朋也;武田雄一郎;酒井武信
• 申請（專利權）人: 豐田自動車株式會社
• 主分類號: C23C18/12
• 分類號: C23C18/12
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 王程;黎艷

1.制造ZnMgO薄膜的方法，該方法包括以下步驟：

將鋅材料和鎂材料溶解在氨水溶液中，所述氨水溶液具有這樣的溫度：在該溫度時，在縱軸表示鋅離子濃度和鎂離子濃度、橫軸表示pH值的水溶液狀態圖中，由產生Zn(OH)₂沉淀的區域和ZnO₂^2-能夠存在的區域所界定的線α位于比由鎂離子能夠存在的區域和產生Mg(OH)₂沉淀的區域所界定的線β更低的pH值側，以及，調節所述氨水溶液的pH值以及所述氨水溶液內的鋅離子濃度和鎂離子濃度，以獲得位于線α和線β之間的區域內的狀態；

在調節了所述pH值和所述離子濃度后，使所述氨水溶液的溫度升高至一溫度，在該溫度時產生Zn(OH)₂和Mg(OH)₂沉淀；以及

在所述氨水溶液的溫度升高后，灼燒沉淀物。

2.根據權利要求1所述的ZnMgO薄膜的制造方法，其中，所述線α位于比所述線β更低的pH值側時的溫度是至多25°C。

3.根據權利要求1或2所述的ZnMgO薄膜的制造方法，其中，產生Zn(OH)₂和Mg(OH)₂沉淀時的溫度是至少25°C、至多80°C。

4.ZnMgO薄膜，其(100)X射線衍射強度與(002)X射線衍射強度之比至少為1/2，且其(101)X射線衍射強度與(002)X射線衍射強度之比至少為1/2。

5.ZnMgO薄膜，其由如權利要求1到3中任一項所述的制造方法制造。

6.根據權利要求5所述的ZnMgO薄膜，其中，所述薄膜的(100)X射線衍射強度與(002)X射線衍射強度之比至少為1/2，且其(101)X射線衍射強度與(002)X射線衍射強度之比至少為1/2。