[發明專利]形成n型摻雜半導體基板的p型摻雜鋁表面區域的方法

無效

• 申請號: 201280052909.0
• 申請日: 2012-11-05
• 公開（公告）號: CN103907198A
• 公開（公告）日: 2014-07-02
• 發明（設計）人: K·W·杭;A·G·普林斯;M·羅斯;R·J·S·揚
• 申請（專利權）人: E.I.內穆爾杜邦公司
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224;H01L31/18
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 江磊

1.用于形成n型半導體基板的至少一個p型摻雜鋁表面區域的方法，所述方法包括以下步驟：

(1)提供n型半導體基板，

(2)在所述n型半導體基板的至少一個表面區域上施加并干燥鋁漿，

(3)焙燒所述干燥過的鋁漿，以及

(4)用水除去所述焙燒過的鋁漿，

其中在步驟(2)中使用的所述鋁漿包含粒狀鋁、有機載體和基于總鋁漿組合物計3至20重量％的玻璃料。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述n型半導體基板選自n型摻雜結晶鍺半導體基板、n型摻雜結晶鍺-硅合金半導體基板和n型摻雜結晶硅半導體基板。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述n型半導體基板是n型太陽能電池晶片，其中所述n型半導體基板的至少一個表面區域是n型太陽能電池晶片的一個或多個表面區域，并且其中所述n型太陽能電池晶片的一個或多個表面區域是將設有p型發射器的那個/那些表面區域。

4.根據權利要求3所述的方法，其中所述n型太陽能電池晶片選自n型結晶鍺太陽能電池晶片、n型結晶鍺-硅合金太陽能電池晶片和n型結晶硅太陽能電池晶片。

5.根據權利要求1或2所述的方法，其中所述粒狀鋁在所述鋁漿中以基于總鋁漿組合物計50至80重量％的比例存在。

6.根據權利要求1、2或5所述的方法，其中所述玻璃料是硅鋁酸鹽玻璃或硼硅酸鹽玻璃。

7.根據權利要求1、2、5或6所述的方法，其中在所述鋁漿中的有機載體含量基于總鋁漿組合物計為20至45重量％。

8.具有至少一個p型摻雜鋁表面區域的n型半導體基板由根據權利要求1、2、5、6或7所述的方法制備。

9.根據權利要求3或4所述的方法，其中所述粒狀鋁在所述鋁漿中以基于總鋁漿組合物計50至80重量％的比例存在。

10.根據權利要求3、4或9所述的方法，其中所述玻璃料是硅鋁酸鹽玻璃或硼硅酸鹽玻璃。

11.根據權利要求3、4、9或10所述的方法，其中在所述鋁漿中的有機載體含量基于總鋁漿組合物計為20至45重量％。

12.具有一個或多個p型發射器的n型太陽能電池晶片由根據權利要求3、4、9、10或11所述的方法制備。