[發明專利]納米復合正型光敏性組合物及其用途

無效

• 申請號: 201280052881.0
• 申請日: 2012-10-31
• 公開（公告）號: CN103907058A
• 公開（公告）日: 2014-07-02
• 發明（設計）人: 盧炳宏;陳春偉;S·梅耶
• 申請（專利權）人: AZ電子材料美國公司
• 主分類號: G03F7/004
• 分類號: G03F7/004;G03F7/027;G03F7/038;G03F7/40;G03F7/039
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 宓霞

1.正型光敏性組合物，其包含正型光致抗蝕劑組合物和具有等于或小于100納米的平均粒子直徑的無機膠體顆粒材料。

2.根據權利要求1的正型光敏性組合物，用于形成光敏涂膜，包含正型光致抗蝕劑組合物和具有等于或小于100納米的平均粒子直徑的無機膠體顆粒材料，其中所述光敏涂膜的厚度小于5μm。

3.根據權利要求1或2的正型光敏性組合物，其中所述正型光致抗蝕劑組合物是(1)包含如下組分的組合物：(i)具有酸不穩定基團的成膜樹脂，和(ii)光酸產生劑。

4.根據權利要求1-3中任一項的正型光敏性組合物，其中所述正型光致抗蝕劑組合物是(2)包含如下組分的組合物：(i)成膜酚醛清漆樹脂，和(ii)光活性化合物。

5.根據權利要求1-4中任一項的正型光致抗蝕劑組合物，其中所述正型光致抗蝕劑組合物是(3)包含如下組分的組合物：(i)成膜樹脂，(ii)光酸產生劑和(iii)溶解抑制劑。

6.根據權利要求2-5中任一項的正型光敏性組合物，其中所述膜具有小于4μm的厚度。

7.根據權利要求2-6中任一項的正型光敏性組合物，其中所述膜具有小于3μm的厚度。

8.根據權利要求2-7中任一項的正型光敏性組合物，其中所述膜具有小于2μm的厚度。

9.根據權利要求1-8中任一項的正型光敏性組合物，其中所述無機顆粒材料選自膠體氧化硅、膠體銅和膠體TiO₂。

10.根據權利要求1-9中任一項的正型光敏性組合物，其中所述無機膠體顆粒材料是SiO₂。

11.根據權利要求10的正型光敏性組合物，其中所述無機顆粒材料是SiO₂并具有大約5-大約100納米的平均粒子尺寸。

12.根據權利要求1-11中任一項的正型光敏性組合物，其中所述無機顆粒材料具有大約10-大約15納米的平均粒子尺寸。

13.根據權利要求1-12中任一項的正型光敏性組合物，其中所述無機顆粒材料按所述光敏性組合物的大約0.1重量％-大約90重量％的量存在。

14.根據權利要求13的正型光敏性組合物，其中所述無機顆粒材料按所述光敏性組合物的大約5重量％-大約75重量％的量存在。

15.根據權利要求14的正型光敏性組合物，其中所述無機顆粒材料按所述光致抗蝕劑的大約10重量％-大約50重量％的量存在。

16.根據權利要求15的正型光敏性組合物，其中所述無機顆粒材料按所述光致抗蝕劑的大約10重量％-大約30重量％的量存在。

17.在基材上形成正型光致抗蝕劑圖像的方法，包括以下步驟：

a)在基材上涂覆權利要求1-16中任一項的光致抗蝕劑組合物，從而形成厚度小于5微米的光致抗蝕劑涂膜；

b)將所述經涂覆基材在輻射下成像式曝光；

c)將經曝光基材顯影以形成光致抗蝕劑圖像；和

d)用包含氯的氣體蝕刻所述基材，從而形成經粗糙化的基材。

18.根據權利要求17的方法，其中所述基材選自藍寶石、SiC和GaN。

19.權利要求1-16中任一項的正型光敏性組合物用于在基材上形成正型光致抗蝕劑圖像的用途。

20.根據權利要求19的用途，其中所述基材選自藍寶石、SiC和GaN。