[發明專利]硅氧烷系組合物及其固化物以及其用途有效

申請號：	201280052834.6	申請日：	2012-10-16
公開（公告）號：	CN103890100A	公開（公告）日：	2014-06-25
發明（設計）人：	山中一廣;江口弘;中辻惇也;須田健資;秋山勝宏	申請（專利權）人：	中央硝子株式會社
主分類號：	C08L83/07	分類號：	C08L83/07;C07F7/21;C08G77/12;C08G77/20;C08G77/38;C08G77/50;C08L83/05
代理公司：	北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277	代理人：	劉新宇;李茂家
地址：	日本***	國省代碼：	日本;JP
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摘要：
搜索關鍵詞：	硅氧烷系組合及其固化用途
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【說明書】：

技術領域

本發明涉及包含硅氧烷化合物的硅氧烷系組合物及其固化物。本發明的硅氧烷系組合物及使其固化而成的固化物，可用作要求耐熱性的密封材料或粘接劑，特別是功率半導體用密封材料；或者要求透明性的光學構件用密封材料、透鏡、光學用薄膜，特別是發光二極管(Light?Emitting?Diode；以下，簡稱為LED。)或半導體激光器用密封材料。

背景技術

為了耐受工作中的半導體元件和LED的發熱，對于半導體和LED等的密封材料要求耐熱性。另外，對于LED等光學構件用途的密封材料，在耐熱性基礎上還要求透明性。使用了環氧樹脂或有機硅作為這些密封材料。需要說明的是，本說明書中，有機硅是指具有由硅氧烷鍵形成的主骨架的高分子化合物。

然而，已知以往的利用環氧樹脂、有機硅的密封材料作為功率半導體的密封材料、或者高亮度LED(汽車的前燈或液晶電視的背光中使用的)或半導體激光器等高亮度發光元件的密封材料使用時耐熱性不充分，發生因密封材料的劣化導致電流泄漏、或者密封材料的黃變等問題。尋求一種密封材料，能夠耐受使用了碳化硅(SiC)且耐電壓性高的半導體即功率半導體、或高亮度發光元件的發熱。

作為形成這種密封材料的耐熱性樹脂，可列舉出聚酰亞胺。

例如，專利文獻1中公開了一種樹脂密封型半導體裝置，其特征在于，具備：具有強介電性膜和表面保護膜的半導體元件、以及由樹脂形成的密封構件；表面保護膜由聚酰亞胺形成；并記述了該表面保護膜是將聚酰亞胺前體組合物膜加熱至230℃～300℃使之固化而形成的。然而，由于聚酰亞胺前體組合物在室溫(20℃)附近為固體，所以為了將半導體元件、發光元件密封，需要在溶于溶劑的狀態下涂布到前述元件上，不能進行無溶劑的密封材料的灌封加工。需要說明的是，灌封加工是指如下的加工：將樹脂液和硅氧烷液等滴加到基材表面，通過加熱或紫外線照射進行縮聚或加聚使之固化而例如進行密封。

另外，關于這種能夠進行無溶劑的灌封加工并且透明的、作為耐熱性密封材料的候補材料，可列舉出倍半硅氧烷。

倍半硅氧烷是將烷基三烷氧基硅烷等水解使之縮聚而成的網絡狀聚硅氧烷。對于倍半硅氧烷能夠進行分子設計，使之發揮無機物的硅氧烷骨架所具有的高耐熱性及與硅氧烷骨架鍵合的有機基團的特性，從而用于各種用途。另外，常溫下為液體，能夠灌封加工。

倍半硅氧烷的合成方法例如專利文獻2～7和非專利文獻1～6所公開的。特別是對于著眼于倍半硅氧烷的透明性的LED、半導體激光器等光學構件用的耐熱性密封材料進行了各種研究，例如專利文獻2和非專利文獻7所公開的。

另外，專利文獻8中公開了含硅的固化性組合物，其包含屬于鉑系催化劑的固化反應催化劑。

此外，非專利文獻8中記載了甲硅烷氧基鋰化合物的合成手法，非專利文獻9中記載了二硅氧烷化合物的合成方法。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開平10-270611號公報

專利文獻2：日本特開2004-143449號公報

專利文獻3：日本特開2004-359933號公報

專利文獻4：日本特開2006-299150號公報

專利文獻5：日本特開2007-15991號公報