[發(fā)明專利]濺射用鈦靶在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201280052810.0 | 申請(qǐng)日： | 2012-04-27 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN103890227A | 公開（公告）日： | 2014-06-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 塚本志郎;牧野修仁;福島篤志;八木和人;日野英治 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 吉坤日礦日石金屬株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào)： | C23C14/34 | 分類號(hào)： | C23C14/34;C22B34/12;C22C14/00 |
| 代理公司： | 中原信達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德駿 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 濺射 用鈦靶 | ||
1.一種濺射用鈦靶，其為高純度鈦靶，其特征在于，含有合計(jì)0.5～5質(zhì)量ppm的S作為添加成分，除了添加成分和氣體成分以外，靶的純度為99.995質(zhì)量％以上。
2.一種濺射用鈦靶，其為高純度鈦靶，其特征在于，含有合計(jì)0.5～3質(zhì)量ppm(低于)的S作為添加成分，除了添加成分和氣體成分以外，靶的純度為99.995質(zhì)量％以上。
3.如權(quán)利要求1或2所述的濺射用鈦靶，其特征在于，除了添加成分和氣體成分以外的純度為99.999質(zhì)量％以上。
4.如權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的濺射用鈦靶，其特征在于，靶的平均晶粒直徑為60μm以下。
5.如權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的濺射用鈦靶，其特征在于，靶的平均晶粒直徑為30μm以下。
6.如權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的濺射用鈦靶，其特征在于，將鈦靶加熱至500℃時(shí)靶的0.2％屈服強(qiáng)度為25MPa以上。
7.如權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的濺射用鈦靶，其特征在于，將鈦靶加熱至500℃時(shí)靶的0.2％屈服強(qiáng)度為30MPa以上。
8.如權(quán)利要求1～7中任一項(xiàng)所述的濺射用鈦靶，其特征在于，鈦靶晶體組織中的S析出物為100個(gè)/mm2以下。
9.如權(quán)利要求1～7中任一項(xiàng)所述的濺射用鈦靶，其特征在于，鈦靶晶體組織中的S析出物為30個(gè)/mm2以下。
10.如權(quán)利要求1～7中任一項(xiàng)所述的濺射用鈦靶，其特征在于，鈦靶晶體組織中的S析出物為10個(gè)/mm2以下。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面擴(kuò)散法，化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
