[發明專利]用于電感耦合等離子體室的旋轉閉鎖氣體噴射器總成的窗和安裝裝置

有效

• 申請號: 201280052695.7
• 申請日: 2012-10-19
• 公開（公告）號: CN104040024A
• 公開（公告）日: 2014-09-10
• 發明（設計）人: 里什·查哈徹;大衛·謝弗
• 申請（專利權）人: 朗姆研究公司
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455
• 代理公司: 上海勝康律師事務所 31263
• 代理人: 李獻忠

1.一種等離子體處理室的介電窗，半導體襯底在所述等離子體處理室中進行等離子體處理并且包括氣體噴射器、射頻防護屏、面板和環形插件的噴射器總成安裝在所述窗中以供應處理氣體到所述等離子體處理室中，所述窗包括：

具有均勻厚度的盤，所述盤包括：在所述盤的下表面上的下真空密封表面，其被適配成對所述等離子體處理室的上表面進行密封；中心孔，其被配置為接收傳輸處理氣體到所述等離子體處理室的中心的所述氣體噴射器；以及所述上表面內的上凹槽，其包圍所述中心孔并且被配置為接收用于在所述窗中安裝所述氣體噴射器總成的所述環形插件。

2.如權利要求1所述的窗，其包括用于在所述上表面內接收溫度傳感器的盲孔以及所述下表面的外緣上的定時特征。

3.如權利要求1所述的窗，其包括在所述窗的外周上的四個周向延伸的溝槽，所述四個溝槽的中點間隔90°。

4.如權利要求3所述的窗，其中所述溝槽中的每一個具有直底壁和成對的直壁，兩個所述溝槽的底壁彼此平行并且另外兩個所述溝槽的底壁彼此平行。

5.如權利要求1所述的窗，其中所述中心凹槽由圓柱形側壁和平面底壁限定，所述底壁包括三個垂直的安裝孔，所述安裝孔間隔120°并且位于所述中心孔與所述側壁之間的中間。

6.如權利要求5所述的窗，其中所述平面底壁是真空密封表面并且包括定位孔，所述定位孔被配置為接收在所述射頻防護屏的下端的定位銷釘。

7.如權利要求1所述的窗，其中所述窗具有約20英寸的直徑、約1.75英寸的厚度以及在所述下表面的外部上約1英寸寬的環形真空密封表面，所述中心凹槽具有約3.4英寸的直徑以及約0.5英寸的深度，所述中心孔具有約1英寸的直徑。

8.如權利要求2所述的窗，其中所述盲孔具有約0.22英寸的直徑、約1.2英寸的深度以及直徑約0.48英寸的漸狹開口。

9.如權利要求5所述的窗，其中所述安裝孔與所述中心孔的中心間距約1.25英寸，所述安裝孔中的每一個具有約0.4英寸的直徑以及約0.5英寸的深度。

10.如權利要求6所述的窗，其中所述定位孔與所述中心孔的中心相距約0.9英寸，具有約0.09英寸的直徑以及約0.15英寸的深度。

11.如權利要求4所述的窗，其中每個溝槽具有約0.6英寸的寬度，所述底壁以約0.3英寸的曲率半徑圓滑過渡，并且所述溝槽在其中點的最大深度是0.9英寸。

12.如權利要求2所述的窗，其中所述定時特征包括所述窗的外周內的凹形凹陷，其中所述凹陷具有約0.3英寸的深度并且由與所述下表面平行的平面以及延伸到所述外周并且具有約0.4英寸的曲率半徑的彎曲側壁限定。

13.如權利要求1所述的窗，其中所述窗由石英組成。

14.一種環形插件，所述環形插件適于適配在等離子體處理室的介電窗的上表面內的圓柱形凹槽中，半導體襯底在所述等離子體處理室中進行等離子體處理并且其中包括氣體噴射器、射頻防護屏、面板和所述環形插件的噴射器總成安裝在所述窗中以供應處理氣體到所述等離子體處理室中，所述環形插件包括：

環形盤，所述環形盤具有均勻厚度并且被適配成被接收在所述窗的所述上表面的圓柱形凹槽中，所述盤具有圓柱形外壁、上表面、下表面以及在所述上表面與所述下表面之間延伸的卡銷開口。

15.如權利要求14所述的插件，其中所述卡銷開口包括三個向內延伸的凸起以及使所述凸起分隔開的三個間隙，所述凸起中的每一個延伸約58°并且所述間隙中的每一個延伸約62°，所述凸起具有約0.35英寸的厚度。

16.如權利要求14所述的插件，其中所述盤具有約3.4英寸的直徑以及約0.5英寸的厚度。

17.如權利要求14所述的插件，其中所述上表面包括三個階梯孔，所述階梯孔間隔120°并且與所述卡銷開口的中心相距約1.3英寸，所述孔中的每一個具有有約0.3英寸的直徑的上部以及有約0.2英寸的直徑的下部。

18.如權利要求14所述的插件，其中所述插件由聚合材料組成。