[發明專利]可變電容元件以及高頻器件

有效

• 申請號: 201280052633.6
• 申請日: 2012-10-24
• 公開（公告）號: CN103891047A
• 公開（公告）日: 2014-06-25
• 發明（設計）人: 池本伸郎;中磯俊幸;谷口勝己;鄉地直樹;池田直徒
• 申請（專利權）人: 株式會社村田制作所
• 主分類號: H01Q7/00
• 分類號: H01Q7/00;G06K19/07;G06K19/077;H01Q5/01;H04B5/02
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 張鑫

1.一種高頻器件，包括：天線線圈；可變電容元件，該可變電容元件改變包含所述天線線圈的天線電路的諧振頻率；以及RFIC，該RFIC與所述可變電容元件相連接，其特征在于，

所述可變電容元件包括：強電介質電容器，該強電介質電容器在電容器電極之間夾有強電介質膜，且電容值根據施加在所述電容器電極之間的控制電壓值而變化；以及控制電壓施加電路，該控制電壓施加電路構成有由具有不同電阻值的多個電阻元件所構成的電阻分壓電路，并對所述可變電容元件施加控制電壓。

2.如權利要求1所述的高頻器件，其特征在于，

所述多個電阻元件的各電阻元件的第一端與所述控制電壓施加電路相連接，第二端分別與所述RFIC的IO端子相連接。

3.如權利要求2所述的高頻器件，其特征在于，

所述多個電阻元件為設置在基板上的電阻圖案，形成各電阻圖案，使得所述多個電阻元件的電阻值以這些電阻值中最低的電阻值為基準，且與該基準的比率為2的冪次方。

4.如權利要求1至3的任一項所述的高頻器件，其特征在于，

所述可變電容元件及所述控制電壓施加電路通過薄膜工藝形成在所述基板上，所述多個電阻元件通過同一工藝形成在所述基板上的同一層。

5.如權利要求4所述的高頻器件，其特征在于，

所述可變電容元件包括并聯連接在所述強電介質電容器兩端的多個RF電阻元件，這些RF電阻元件設置在與所述多個電阻元件不同的層上。

6.一種可變電容元件，其特征在于，

具有在電容器電極之間夾有強電介質膜的強電介質電容器，

包括控制電壓施加電路，該控制電壓施加電路與所述強電介質電容器相連接，包括具有不同電阻值的多個電阻元件，以施加使得所述強電介質電容器的施加電壓值發生多種變化的控制電壓。