[發明專利]光電變換裝置及其制造方法、以及光電變換模塊

有效

• 申請號: 201280052186.4
• 申請日: 2012-04-10
• 公開（公告）號: CN103907205A
• 公開（公告）日: 2014-07-02
• 發明（設計）人: 小西博文;松浦努;西川祐介;菅原勝俊
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L31/075
• 分類號: H01L31/075;H01L31/18;H01L31/20
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 金春實

1.一種光電變換裝置，在通過受光來生成光生載流子的n型半導體基板的第一面上，依次層疊了實質上本征的半導體層、p型半導體層、以及透明導電層，該光電變換裝置的特征在于，

所述透明導電層具有：

含氫區域，由含氫的透明導電性材料構成；以及

氫擴散抑制區域，相比于所述含氫區域存在于所述p型半導體層側，由實質上不含氫的透明導電性材料構成，

所述氫擴散抑制區域具有所述p型半導體層側的含氫量少于所述含氫區域側的含氫量的氫濃度分布。

2.根據權利要求1所述的光電變換裝置，其特征在于，

所述氫擴散抑制區域的氫濃度是1at％以下，

所述含氫區域的氫濃度高于1at％。

3.根據權利要求1或者2所述的光電變換裝置，其特征在于，

所述氫擴散抑制區域的結晶度高于所述含氫區域的結晶度。

4.根據權利要求1至3中的任一項所述的光電變換裝置，其特征在于，

所述含氫區域和所述氫擴散抑制區域由氧化銦、或者含有0.1wt％以上且1wt％以下的氧化錫的氧化銦膜構成。

5.根據權利要求1至4中的任一項所述的光電變換裝置，其特征在于，

所述氫擴散抑制區域由以氧化鋅或者氧化銦錫中的某一個為主成分的透明導電性氧化膜構成。

6.根據權利要求1至5中的任一項所述的光電變換裝置，其特征在于，

所述氫擴散抑制區域的膜厚是1～20nm。

7.根據權利要求1至6中的任一項所述的光電變換裝置，其特征在于，

通過受光來生成光生載流子的所述n型半導體基板由結晶系半導體構成，

所述實質上本征的所述半導體層由非晶質半導體構成，

所述p型半導體層由非晶質半導體構成。

8.一種光電變換模塊，其特征在于，

串聯或者并聯地電連接至少2個以上的權利要求1至7中的任一項所述的光電變換裝置而成。

9.一種光電變換裝置的制造方法，在通過受光來生成光生載流子的n型半導體基板上，依次層疊實質上本征的半導體層、p型半導體層、以及透明導電層來制造光電變換裝置，該光電變換裝置的制造方法的特征在于，

所述透明導電層是在所述p型半導體層上層疊由實質上不含氫的透明導電性材料構成的氫擴散抑制區域、和氫濃度比所述氫擴散抑制區域高的含氫區域而形成的。

10.根據權利要求9所述的光電變換裝置的制造方法，其特征在于，

通過使用了形成透明導電性材料的靶的濺射法來形成所述氫擴散抑制區域，

通過使用了所述靶的濺射法，與形成所述氫擴散抑制區域時相比，使導入氣體的種類和流量比發生變化，來與所述氫擴散抑制區域連續地形成所述含氫區域。

11.根據權利要求9所述的光電變換裝置的制造方法，其特征在于，

通過濺射法、有機金屬化學氣相蒸鍍法、印刷法、或者噴射法形成所述氫擴散抑制區域，

通過濺射法形成所述含氫區域。