[發(fā)明專利]具有混雜發(fā)射特征的制品及其認(rèn)證方法和裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201280052093.1
• 申請(qǐng)日: 2012-08-27
• 公開（公告）號(hào): CN103890566A
• 公開（公告）日: 2014-06-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: W.R.拉波波爾特;C.劉;J.凱恩
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 霍尼韋爾國際公司
• 主分類號(hào): G01N21/64
• 分類號(hào): G01N21/64
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 趙蘇林;梁謀

1.?制品，其包含：

具有第一表面和第一發(fā)光標(biāo)簽劑的基底，其中當(dāng)所述基底暴露于基底激發(fā)能量時(shí)，第一發(fā)光標(biāo)簽劑產(chǎn)生在基底發(fā)射帶中的基底發(fā)射；和

緊貼存在第一發(fā)光標(biāo)簽劑的第一表面的一部分安置的外在構(gòu)件，其中所述外在構(gòu)件包含第二發(fā)光標(biāo)簽劑，當(dāng)外在構(gòu)件暴露于外在構(gòu)件激發(fā)能量時(shí)，其產(chǎn)生在外在構(gòu)件發(fā)射帶中的外在構(gòu)件發(fā)射，所述外在構(gòu)件發(fā)射帶在重疊發(fā)射帶中與基底發(fā)射帶至少部分重疊，

其中在第一表面的所述部分處，基底發(fā)射和外在構(gòu)件發(fā)射在重疊發(fā)射帶中組合以產(chǎn)生可區(qū)別于基底發(fā)射的混雜發(fā)射。

2.?權(quán)利要求1的制品，其中第一發(fā)光標(biāo)簽劑包括第一發(fā)射離子，第二發(fā)光標(biāo)簽劑包括第一發(fā)射離子，且基底發(fā)射和外在構(gòu)件發(fā)射由第一和第二發(fā)光標(biāo)簽劑中的第一發(fā)射離子產(chǎn)生。

3.?權(quán)利要求2的制品，其中第一發(fā)射離子以第一摻雜密度并入第一發(fā)光標(biāo)簽劑中，且第一發(fā)射離子以不同于第一摻雜密度的第二摻雜密度并入第二發(fā)光標(biāo)簽劑中。

4.?權(quán)利要求1的制品，其中第一發(fā)光標(biāo)簽劑包括第一發(fā)射離子，第二發(fā)光標(biāo)簽劑包括不同于第一發(fā)射離子的第二發(fā)射離子，所述基底發(fā)射由第一發(fā)光標(biāo)簽劑中的第一發(fā)射離子產(chǎn)生，外在構(gòu)件發(fā)射由第二發(fā)光標(biāo)簽劑中的第二發(fā)射離子產(chǎn)生。

5.?權(quán)利要求1的制品，其中所述制品包括附加離子，當(dāng)包括附加離子的標(biāo)簽劑暴露于附加標(biāo)簽劑激發(fā)能量時(shí)，其產(chǎn)生在不與基底發(fā)射帶或外在構(gòu)件發(fā)射帶重疊的附加發(fā)射帶中的附加發(fā)射。

6.?權(quán)利要求5的制品，其中所述附加標(biāo)簽劑激發(fā)能量不同于基底激發(fā)能量和外在構(gòu)件激發(fā)能量。

7.?權(quán)利要求1的制品，其中所述基底具有第一基底邊緣和跨越第一表面與第一基底邊緣相對(duì)的第二基底邊緣，在與第一和第二基底邊緣垂直的方向上限定主軸，且其中外在構(gòu)件的第一構(gòu)件邊緣在主軸方向中距第一基底邊緣為第一距離，外在構(gòu)件的第二構(gòu)件邊緣在主軸方向上距第二基底邊緣為第二距離，且其中第二距離不同于第一距離以便能至少部分確定基底的取向。

8.?認(rèn)證包括基底的制品的方法，所述方法包括步驟：

使所述基底的表面暴露于激發(fā)能量；

測(cè)定在所述表面的第一區(qū)域中是否在第一發(fā)射帶中檢測(cè)到具有第一發(fā)射特征的第一發(fā)射，其中第一發(fā)射由激發(fā)能量產(chǎn)生，且第一區(qū)域相當(dāng)于真品中不存在外在構(gòu)件的區(qū)域；和

測(cè)定在所述表面的第二區(qū)域中是否在第一發(fā)射帶中檢測(cè)到具有不同于第一發(fā)射特征的第二發(fā)射特征的第二發(fā)射，其中第二發(fā)射由激發(fā)能量產(chǎn)生，且第二區(qū)域相當(dāng)于真品中存在外在構(gòu)件的區(qū)域。

9.?權(quán)利要求8的方法，進(jìn)一步包括：

當(dāng)檢測(cè)到第一和第二發(fā)射時(shí)并且當(dāng)?shù)诙l(fā)射具有第二發(fā)射特征時(shí)，將所述制品識(shí)別為真實(shí)；且

當(dāng)沒有檢測(cè)到第一發(fā)射、第二發(fā)射或兩者時(shí)或當(dāng)?shù)诙l(fā)射沒有第二發(fā)射特征時(shí)，將所述制品識(shí)別為不真實(shí)。

10.?認(rèn)證包括基底的制品的裝置，所述裝置包含：

一個(gè)或多個(gè)激發(fā)能量發(fā)生器，其構(gòu)造成將激發(fā)能量導(dǎo)向所述基底表面；

第一發(fā)射檢測(cè)器，其構(gòu)造成檢測(cè)在第一發(fā)射帶中的第一發(fā)射；和

處理系統(tǒng)，其構(gòu)造成測(cè)定在所述表面的第一區(qū)域中是否在第一發(fā)射帶中檢測(cè)到具有第一發(fā)射特征的第一發(fā)射，其中第一發(fā)射由激發(fā)能量產(chǎn)生，且第一區(qū)域相當(dāng)于真品中不存在外在構(gòu)件的區(qū)域，且其中所述處理系統(tǒng)進(jìn)一步構(gòu)造成測(cè)定在所述表面的第二區(qū)域中是否在第一發(fā)射帶中檢測(cè)到具有不同于第一發(fā)射特征的第二發(fā)射特征的第二發(fā)射，其中第二發(fā)射由激發(fā)能量產(chǎn)生，且第二區(qū)域相當(dāng)于真品中存在外在構(gòu)件的區(qū)域。