[發明專利]薄膜太陽能電池模塊及其制造方法

有效

• 申請號: 201280051972.2
• 申請日: 2012-08-31
• 公開（公告）號: CN103907197A
• 公開（公告）日: 2014-07-02
• 發明（設計）人: 增茂邦雄;東誠二
• 申請（專利權）人: 旭硝子株式會社
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224;H01L31/18;H01L31/046
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 馮雅

1.一種薄膜太陽能電池模塊的制造方法，該薄膜太陽能電池模塊是在基體上依次層疊透明導電性氧化物膜、保護涂膜、光電轉換層和背面電極層而形成的，具有多個薄膜太陽能電池單元，該多個薄膜太陽能電池單元是比所述基體更靠上部的層在與所述基板大致垂直的方向上被多個分離溝分割而成的，鄰接的所述薄膜太陽能電池單元之間電串聯連接，其特征在于，包括：

在所述基體上形成所述透明導電性氧化物膜的工序；在所述透明導電性氧化物膜上形成所述保護涂膜的工序；和采用激光刻劃法在所述透明導電性氧化物膜和所述保護涂膜上形成第一分離溝，將所述透明導電性氧化物膜和所述保護涂膜分割的透明導電性氧化物膜和保護涂膜的圖案化工序；

在所述第一分離溝內和所述保護涂膜上形成所述光電轉換層的工序；采用激光刻劃法在所述光電轉換層形成第二分離溝，將所述光電轉換層分割的光電轉換層的圖案化工序；

在所述第二分離溝內和所述光電轉換層上形成所述背面電極層的工序；采用激光刻劃法在所述背面電極層和光電轉換層形成第三分離溝，將所述背面電極層和光電轉換層分割的背面電極層和光電轉換層的圖案化工序；

以使所述第二分離溝的頂端位于所述透明導電性氧化物膜內的條件實施所述光電轉換層的圖案化工序。

2.如權利要求1所述的薄膜太陽能電池模塊的制造方法，其特征在于，在所述光電轉換層形成第二分離溝的激光刻劃法的激光的功率密度大于0.1mW/μm²。

3.如權利要求1或2所述的薄膜太陽能電池模塊的制造方法，其特征在于，在所述第二分離溝內將背面電極層和透明導電性氧化物膜電連接。

4.如權利要求1～3中任一項所述的薄膜太陽能電池模塊的制造方法，其特征在于，所述透明導電性氧化物膜是含有氟作為摻雜劑的氧化錫膜。

5.如權利要求1～4中任一項所述的薄膜太陽能電池模塊的制造方法，其特征在于，所述透明導電性氧化物膜的膜厚為400～1200nm。

6.如權利要求1～5中任一項所述的薄膜太陽能電池模塊的制造方法，其特征在于，所述透明導電性氧化物膜的形成采用常壓CVD法。

7.如權利要求1～6中任一項所述的薄膜太陽能電池模塊的制造方法，其特征在于，所述保護涂膜是以氧化鈦作為主成分且含有氧化錫的膜。

8.如權利要求1～7中任一項所述的薄膜太陽能電池模塊的制造方法，其特征在于，所述保護涂膜的膜厚為10～100nm。

9.如權利要求1～8中任一項所述的薄膜太陽能電池模塊的制造方法，其特征在于，所述保護涂膜的形成采用常壓CVD法。

10.如權利要求1～9中任一項所述的薄膜太陽能電池模塊的制造方法，其特征在于，所述光電轉換層包括依次形成有p層、i層、n層的層、即p-i-n層。

11.如權利要求1～10中任一項所述的薄膜太陽能電池模塊的制造方法，其特征在于，所述光電轉換層的形成采用等離子體CVD法。

12.如權利要求1～11中任一項所述的薄膜太陽能電池模塊的制造方法，其特征在于，所述背面電極層以銀、鋁、或它們的合金作為主成分。

13.如權利要求1～12中任一項所述的薄膜太陽能電池模塊的制造方法，其特征在于，所述背面電極層的膜厚為100～300nm。

14.如權利要求1～13中任一項所述的薄膜太陽能電池模塊的制造方法，其特征在于，所述背面電極層的形成采用濺射法。

15.如權利要求1～14中任一項所述的薄膜太陽能電池模塊的制造方法，其特征在于，形成第二分離溝時的激光的照射部位處的能量分布為高斯分布。

16.如權利要求1～15中任一項所述的薄膜太陽能電池模塊的制造方法，其特征在于，在所述透明導電性氧化物膜和保護涂膜的圖案化工序、所述光電轉換層的圖案化工序、以及所述背面電極層和光電轉換層的圖案化工序中，使用激發波長在1064nm附近的激光源。

17.一種薄膜太陽能電池模塊，其特征在于，由權利要求1～16中任一項所述的薄膜太陽能電池模塊的制造方法制得。