[發明專利]單晶的制造方法有效
| 申請號： | 201280051969.0 | 申請日： | 2012-10-02 |
| 公開（公告）號： | CN103890241A | 公開（公告）日： | 2014-06-25 |
| 發明（設計）人： | 巖崎淳 | 申請（專利權）人： | 信越半導體株式會社 |
| 主分類號： | C30B15/10 | 分類號： | C30B15/10;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京冠和權律師事務所 11399 | 代理人： | 朱健 |
| 地址： | 日本東京都千*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種單晶的制造方法，是通過CZ法的單晶的制造方法，該單晶的制造方法其特征在于，
對于在制造單晶的爐內所使用的至少一個石墨配件的Ni濃度進行分析，并使用該所分析的Ni濃度為30ppb以下的石墨配件而制造上述單晶。
2.根據權利要求1所述的單晶的制造方法，其特征在于，
將上述石墨配件設為，與石英坩堝直接接觸的石墨配件和通過該直接接觸的石墨配件而與上述石英坩堝間接接觸的石墨配件中的至少一個。
3.根據權利要求1或2所述的單晶的制造方法，其特征在于，
將上述石墨配件設為石墨坩堝。
4.根據權利要求3所述的單晶的制造方法，其特征在于，
將上述石墨配件進一步設為坩堝托盤和基座的至少一個。
5.根據權利要求1至4中任一項所述的單晶的制造方法，其特征在于，
將上述分析Ni濃度的方法設為，對于經等離子體灰化并經酸溶解的上述石墨配件的石墨材料進行分析的高靈敏度分析方法。
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