[發明專利]靜電夾盤有效
| 申請號: | 201280051925.8 | 申請日: | 2012-10-17 |
| 公開(公告)號: | CN103890928B | 公開(公告)日: | 2017-11-21 |
| 發明(設計)人: | S·巴納;V·托多羅;D·盧博米爾斯基 | 申請(專利權)人: | 應用材料公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H02N13/00;B23Q3/15 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司31100 | 代理人: | 黃嵩泉 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 靜電 | ||
1.一種用于支撐與保持具有給定寬度的基板的靜電夾盤,包含:
第一電極,設置在靜電夾盤的介電構件內且通過中央軸線,所述中央軸線垂直于所述靜電夾盤的支撐表面;
第二電極,設置在所述介電構件內并且設置成至少部分位在所述第一電極的徑向上外側處,其中所述第二電極徑向向外延伸至超過所述基板的外周邊的區域,所述外周邊由所述基板的所述給定寬度所界定,且其中設置所述第二電極的平面與所述第一電極的平面相同或該平面與所述支撐表面的距離比所述第一電極與所述支撐表面的距離更近;
各耦接所述第一電極的RF電源與DC電源,其中所述DC電源提供夾持功率;以及
耦接所述第二電極的RF電源。
2.如權利要求1所述的靜電夾盤,其特征在于,所述第一電極延伸至所述基板的邊緣附近的區域。
3.如權利要求1所述的靜電夾盤,其特征在于,耦接所述第二電極的所述RF電源與耦接所述第一電極的所述RF電源是相同的RF電源。
4.如權利要求3所述的靜電夾盤,進一步包含可變電容器或分路,以選擇性將自所述RF電源所遞送的RF功率分路至所述第一電極與所述第二電極。
5.如權利要求1所述的靜電夾盤,其特征在于,耦接所述第二電極的所述RF電源與耦接所述第一電極的所述RF電源是不同的RF電源。
6.如權利要求1至5的任一項所述的靜電夾盤,其特征在于,所述介電構件由氧化鋁(Al2O3)或氮化硅(SiN)所制造。
7.如權利要求1至5的任一項所述的靜電夾盤,進一步包含:
處理套組,設置在所述靜電夾盤頂上,以覆蓋所述介電構件的多個部分,并且所述處理套組具有中央開口,所述中央開口對應所述支撐表面;以及
導熱層,設置在所述處理套組頂上,其中所述導熱層具有導熱率,所述導熱率實質上近似于待處理的基板的導熱率。
8.如權利要求7所述的靜電夾盤,其特征在于,所述處理套組由氧化硅(SiO2)所制造。
9.如權利要求7所述的靜電夾盤,其特征在于,所述導熱層包含碳化硅(SiC)或受摻雜的鉆石。
10.如權利要求7所述的靜電夾盤,其特征在于,所述第二電極延伸至所述處理套組下方的區域。
11.如權利要求1至5的任一項所述的靜電夾盤,其特征在于,所述第一電極或所述第二電極的至少一個是導電篩。
12.如權利要求1至5的任一項所述的靜電夾盤,進一步包含:
板,設置在所述介電構件下方,以支撐所述介電構件;以及
支撐底座,設置在所述板下方,以支撐所述板,所述底座具有導管,所述導管設置在所述底座內,以將來自所述RF電源和所述DC電源的電力傳送經過所述支撐底座。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





