[發明專利]彈性表面波裝置

有效

• 申請號: 201280051904.6
• 申請日: 2012-10-22
• 公開（公告）號: CN103891139A
• 公開（公告）日: 2014-06-25
• 發明（設計）人: 神藤始;岡田圭司
• 申請（專利權）人: 株式會社村田制作所
• 主分類號: H03H9/25
• 分類號: H03H9/25;H01L41/09;H01L41/18;H03H9/145;H03H9/64
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 齊秀鳳

1.一種彈性表面波裝置，其具備使用切割角相同的壓電體而構成的多個彈性表面波元件，該彈性表面波元件使用了聲速比在壓電體中傳播的體波更快的彈性表面波，

各所述彈性表面波元件具有：所述壓電體、設置在所述壓電體上的IDT電極、和設置在所述壓電體的設有所述IDT電極的一側的相反側且將所述彈性表面波限制在所述壓電體側的限制層，

在所述多個彈性表面波元件中，至少一個彈性表面波元件中的彈性表面波的傳播方位與其他的至少一個彈性表面波元件中的彈性表面波的傳播方位不同。

2.根據權利要求1所述的彈性表面波裝置，其中，

所述多個彈性表面波元件構成在單一的壓電體上。

3.根據權利要求1或2所述的彈性表面波裝置，其中，

所述至少一個彈性表面波元件的頻帶寬度與所述其他的至少一個彈性表面波元件的頻帶寬度不同。

4.根據權利要求1～3中任一項所述的彈性表面波裝置，其中，

所述限制層由在該限制層中傳播的體波聲速比所述彈性表面波的傳播速度更快的電介質構成。

5.根據權利要求4所述的彈性表面波裝置，其中，

所述電介質是從由氮化鋁、氮化硅、氧化鋁、氮氧化硅以及類金剛石碳構成的群組之中選擇出的一種電介質、或者多種電介質的混合物、層疊物。

6.根據權利要求1～5中任一項所述的彈性表面波裝置，其中，

所述彈性表面波為橫波，

所述IDT電極的厚度被設為所述彈性表面波的聲速變得比在所述壓電體中傳播的慢橫波的聲速更快的厚度。

7.根據權利要求1～5中任一項所述的彈性表面波裝置，其中，

所述彈性表面波為縱波，

所述IDT電極的厚度被設為所述彈性表面波的聲速變得比在所述壓電體中傳播的縱體波的聲速更快的厚度。

8.根據權利要求1～6中任一項所述的彈性表面波裝置，其中，

所述彈性表面波為橫波，

所述IDT電極的占空比被設為變得比在所述壓電體中傳播的慢橫波的聲速更快的占空比。

9.根據權利要求1～5、7中任一項所述的彈性表面波裝置，其中，

所述彈性表面波為縱波，

所述IDT電極的占空比被設為變得比在所述壓電體中傳播的縱體波的聲速更快的占空比。

10.根據權利要求1～9中任一項所述的彈性表面波裝置，其中，

所述彈性表面波裝置還具備：低聲速層，其設置在所述壓電體與所述限制層之間，且該低聲速層的體波的聲速比在所述壓電體中傳播的體波的聲速以及在限制層中傳播的體波的聲速慢。

11.根據權利要求10所述的彈性表面波裝置，其中，

所述低聲速層由氧化硅構成。

12.根據權利要求1～3中任一項所述的彈性表面波裝置，其中，

所述限制層是聲阻抗相對高的第1材料層和聲阻抗相對低的第2材料層層疊而成的布拉格反射器。

13.根據權利要求12所述的彈性表面波裝置，其中，

所述第1材料層通過從由Cu、Au、Mo、Ni以及W構成的群組之中選擇出的至少一種構成。

14.根據權利要求12所述的彈性表面波裝置，其中，

所述第2材料層由氧化硅或者聚合物構成。

15.根據權利要求1～14中任一項所述的彈性表面波裝置，其中，

所述彈性表面波裝置為濾波器或者諧振器。

16.根據權利要求15所述的彈性表面波裝置，其中，

所述彈性表面波裝置為縱耦合型彈性表面波濾波器。