[發明專利]改良的溝槽內輪廓

在審

• 申請號: 201280051888.0
• 申請日: 2012-09-26
• 公開（公告）號: CN103907182A
• 公開（公告）日: 2014-07-02
• 發明（設計）人: K·薩普瑞;N·K·英格爾;J·唐
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762;H01L21/31;H01L21/205
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 黃嵩泉

1.一種在半導體基板中蝕刻凹部的方法，所述方法包含以下步驟：

形成介電襯墊層于所述基板的溝槽中，其中所述襯墊層具有第一密度；

至少部分位在所述溝槽中于所述襯墊層上沉積第二介電層，其中所述第二介電層在沉積后最初為可流動，且其中所述第二介電層具有第二密度，所述第二密度低于所述襯墊層的第一密度；

將所述基板暴露至干式蝕刻劑，其中所述蝕刻劑移除所述第一襯墊層與所述第二介電層的一部分而形成所述凹部，其中所述干式蝕刻劑包括含氟化合物與分子氫，且其中移除所述第一介電襯墊層與移除所述第二介電層的蝕刻速率比為約1:1.2至約1:1。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一介電襯墊層包含高密度等離子體形成的氧化硅層。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二介電層包含由FCVD所沉積的氧化硅層。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述含氟化合物包含NF₃。

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述干式蝕刻劑實質上無氨氣。

6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述凹部具有實質上平整的轉角輪廓。

7.如權利要求1所述的方法，進一步包含以下步驟：在所述第二介電層沉積之后，固化所述第二介電層。

8.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述介電層是在約400℃或更低的溫度下沉積與蝕刻。

9.一種蝕刻介電材料的方法，所述介電材料位在半導體基板上的選擇性材料的多個區塊之間，所述方法包括以下步驟：

沉積選擇性材料于半導體基板上；

在所述選擇性材料與半導體基板中蝕刻至少一個溝槽，所述至少一個溝槽在所述半導體基板上建立至少兩個彼此隔離的選擇性材料的區塊；

將所述介電材料沉積于所述溝槽中，其中所述介電材料至少部分填充于選擇性材料的隔離區塊之間；以及

將所述基板暴露至干式蝕刻劑氣體，所述干式蝕刻劑氣體移除選擇性材料的隔離區塊之間的介電層的一部分而形成凹部，其中所述干式蝕刻劑氣體包括含氟化合物與分子氫。

10.如權利要求9所述的方法，其特征在于，所述干式蝕刻劑氣體實質上無氨氣。

11.如權利要求9所述的方法，其特征在于，所述選擇性材料是多晶硅。

12.如權利要求9所述的方法，進一步包含以下步驟：在沉積所述選擇性材料之前，沉積穿隧氧化物于所述半導體基板上，其中所述選擇性材料被沉積在所述穿隧氧化物上。

13.如權利要求9所述的方法，其特征在于，所述介電材料由可流動CVD所沉積。

14.如權利要求9所述的方法，其特征在于，所述凹部具有實質上平整的轉角輪廓。

15.如權利要求9所述的方法，進一步包含以下步驟：在所述第二介電層沉積之后，固化所述第二介電層。

16.如權利要求15所述的方法，其特征在于，所述介電層在約400℃或更低的溫度下沉積、固化與蝕刻。