[發(fā)明專利]銅鉬合金膜的蝕刻液組合物有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201280051862.6 | 申請(qǐng)日: | 2012-11-12 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103890232A | 公開(公告)日: | 2014-06-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 申孝燮;金世訓(xùn);李恩慶;丁鎮(zhèn)培;李相大;韓斗錫 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 易安愛富科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | C23F1/18 | 分類號(hào): | C23F1/18;H01L21/306;C23F1/14 |
| 代理公司: | 深圳市順天達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司 44217 | 代理人: | 蔡曉紅 |
| 地址: | 韓國首爾市*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 合金 蝕刻 組合 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種銅鉬合金膜的蝕刻液組合物,尤其是用于TFT-LCD、OLED等顯示器電極的銅鉬合金膜的蝕刻液組合物。
背景技術(shù)
半導(dǎo)體裝置、TFT-LCD、OLED等微電路是通過在基板上形成的鋁、鋁合金、銅及銅合金等導(dǎo)電性金屬膜或二氧化硅膜、氮化硅薄膜等絕緣膜上,均勻地涂抹光刻膠,然后通過刻有圖案的薄膜,進(jìn)行光照射后成像,使所需的圖案光刻膠成像,采用干式蝕刻或濕式蝕刻,在光刻膠下部的金屬膜或絕緣膜上顯示圖案后,剝離去除不需要的光刻膠等一系列的光刻工程而完成的。
大型顯示器的柵極及數(shù)據(jù)金屬配線所使用的銅合金,與以往技術(shù)中的鋁鉻配線相比,阻抗低且沒有環(huán)境問題。銅存在與玻璃基板及絕緣膜的貼附性較低,易擴(kuò)散為氧化硅膜等問題,所以通常使用鈦、鉬等作為下部薄膜金屬。
另外,隨著顯示器大型化的發(fā)展,濕式蝕刻中所使用的蝕刻液的用量也隨之增多,為了降低制造成本,開發(fā)出可減少蝕刻液用量的相關(guān)技術(shù)是勢在必行的。
在韓國專利公開公報(bào)第2003-0082375號(hào)、專利公開公報(bào)第2004-0051502號(hào)、專利公開公報(bào)第2006-0064881號(hào)及專利公開公報(bào)第2006-0099089號(hào)等中,公開了過氧化氫基板的銅/鉬合金蝕刻液,但是在進(jìn)行反復(fù)蝕刻,且蝕刻液中的金屬含量有所增加時(shí),就很難維持蝕刻錐角、蝕刻精度及蝕刻直線度等蝕刻特性,為了維持上述蝕刻特性,則需要降低金屬含量,從而需要使用大量的蝕刻液。
發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明的目的在于提供一種在反復(fù)進(jìn)行蝕刻工程、蝕刻液內(nèi)的金屬離子的含量較高時(shí),也可以維持蝕刻錐角、蝕刻精度及蝕刻直線度等蝕刻特性的銅鉬合金膜的蝕刻液組合物。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供一種在過氧化氫基礎(chǔ)上的蝕刻液組合物,所述過氧化氫內(nèi)添加有同時(shí)含有氮原子和硫原子化合物。
更詳細(xì)地說,本發(fā)明供一種銅鉬合金膜的蝕刻液組合物,相對(duì)于整體組合物的總重量,包含:5%至40%重量百分比的過氧化氫,0.01%至5%重量百分比的同時(shí)含有氮原子和硫原子的化合物,0.1%至5%重量百分比的有機(jī)酸,0.1%至5%重量百分比的雜環(huán)化合物,0.1%至5%中重量百分比的螯合劑,0.01%至1%重量百分比的氟化物及使整體組合物的總重量達(dá)到100%的水。
本發(fā)明的有益效果在于,依據(jù)本發(fā)明的銅鉬合金膜的蝕刻液組合物,在反復(fù)進(jìn)行蝕刻工程、蝕刻液內(nèi)的金屬離子的含量較高時(shí),也可以維持蝕刻錐角、蝕刻精度及蝕刻直線度等蝕刻特性。從而可減少用于蝕刻工程中的蝕刻液的用量,使TFT-LCD等的制造成本有顯著的降低。
附圖說明
圖1是在本發(fā)明實(shí)施例1的蝕刻組合物中,溶解6000ppm的銅/鉬合金粉末后,使用掃描電子顯微鏡觀察到的銅/鉬合金膜蝕刻截面的照片;
圖2是在本發(fā)明實(shí)施例1的蝕刻組合物中,溶解4000ppm的銅/鉬合金粉末后,使用掃描電子顯微鏡觀察到的銅/鉬合金膜蝕刻截面的照片。
具體實(shí)施方式
本發(fā)明的蝕刻液組合物可同時(shí)蝕刻銅/鉬合金。這里的“銅/鉬合金膜”是指銅膜和鉬合金膜,鉬合金是鉬和多種金屬的合金,優(yōu)選為與鈦、鉭、鉻、釹、鎳、銦或錫的合金,更優(yōu)選為與鈦的合金。
本發(fā)明的銅鉬合金膜的蝕刻液組合物,相對(duì)于整體組合物的總重量,包含:5%至40%重量百分比的過氧化氫,0.01%至5%重量百分比的同時(shí)含有氮原子和硫原子的化合物,0.1%至5%重量百分比的有機(jī)酸,0.1%至5%重量百分比的雜環(huán)化合物,0.1%至5%中重量百分比的螯合劑,0.01%至1%重量百分比的氟化物及使整體組合物的總重量達(dá)到100%的水。
上述蝕刻液組合物除了包含同時(shí)含有氮原子和硫原子的化合物以外,還包含有助于過氧化氫和蝕刻的有機(jī)酸、可控制螯合劑及氟化物等蝕刻添加劑和蝕刻速度,并在蝕刻后可形成金屬膜輪廓的蝕刻抑制劑—雜環(huán)化合物。
在本發(fā)明的蝕刻液組合物中,同時(shí)含有氮原子和硫原子的添加劑不僅僅可以提高銅鉬合金的蝕刻速度,還可以在反復(fù)進(jìn)行蝕刻工程,蝕刻液內(nèi)的金屬離子含量增加時(shí),維持蝕刻的速度。反復(fù)進(jìn)行蝕刻工程,蝕刻液內(nèi)的金屬離子含量增加時(shí),蝕刻液會(huì)發(fā)生變化,蝕刻錐角變大,蝕刻精度減小。隨著蝕刻工程的反復(fù),蝕刻液內(nèi)的蝕刻添加劑與金屬離子反應(yīng),持續(xù)消耗。但是蝕刻抑制劑被維持,相對(duì)于參與蝕刻的蝕刻添加劑,用于控制蝕刻速度的蝕刻抑制劑則有所增加,蝕刻速度變慢。
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