[發明專利]用于具有受控的可平均和可隔離電壓參考的MRAM的系統和方法

有效

• 申請號: 201280051796.2
• 申請日: 2012-10-22
• 公開（公告）號: CN103890849A
• 公開（公告）日: 2014-06-25
• 發明（設計）人: J·P·金;T·金
• 申請（專利權）人: 高通股份有限公司
• 主分類號: G11C5/06
• 分類號: G11C5/06;G11C7/08;G11C29/02
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 李小芳

1.一種非易失性電阻式存儲器，包括：

與至少一個位單元陣列(I／O)相關聯的多個參考單元，其中所述多個參考單元中的至少兩個被耦合至共用節點；以及

與所述I／O相關聯的多個感測放大器，其中至少一個感測放大器被耦合至所述共用節點。

2.如權利要求1所述的存儲器，其特征在于，還包括：

至少一個開關器件，配置成隔離所述多個參考單元中的至少一個參考單元。

3.如權利要求1所述的存儲器，其特征在于，還包括：

至少一個開關器件，配置成將所述多個參考單元中的至少一個參考單元與所述共用節點相隔離。

4.如權利要求3所述的存儲器，其特征在于，還包括：

至少一個開關器件，配置成隔離所述多個參考單元中的至少一個參考單元。

5.如權利要求3所述的存儲器，其特征在于，被隔離的參考單元被耦合至其相關聯的I／O。

6.如權利要求1所述的存儲器，其特征在于，所述存儲器是MRAM、STT-MRAM、PRAM或電阻式RAM之一。

7.一種非易失性電阻式存儲器，包括：

第一位單元陣列(I／O)，其具有第一參考單元、從所述第一參考單元至第一I／O參考線的第一參考單元可選鏈路、以及耦合至所述第一I／O參考線的第一感測放大器；

第二I／O，其具有第二參考單元、從所述第二參考單元至第二I／O參考線的第二參考單元可選鏈路、以及耦合至所述第二I／O參考線的第二感測放大器；以及

介于所述第一I／O參考線和所述第二I／O參考線之間的參考線耦合鏈路。

8.如權利要求7所述的存儲器，其特征在于，所述第一參考單元可選鏈路和所述第二參考單元可選鏈路中的至少一者是可熔鏈路，所述可熔鏈路能夠被燒斷從而進行將所述第一參考單元與所述第一I／O參考線隔離以及將所述第二參考單元與所述第二I／O參考線隔離中的至少一者。

9.如權利要求7所述的存儲器，其特征在于，所述第一參考單元可選鏈路和所述第二參考單元可選鏈路中的至少一者是處于所選燒斷狀態的可熔鏈路，從而進行將所述第一參考單元與所述第一I／O參考線隔離以及將所述第二參考單元與所述第二I／O參考線隔離中的至少一者。

10.如權利要求7所述的存儲器，其特征在于，所述第一參考單元可選鏈路和所述第二參考單元可選鏈路中的至少一者是可開關器件，所述可開關器件能夠被切換為進行將所述第一參考單元耦合至所述第一I／O參考線以及將所述第二參考單元耦合至所述第二I／O參考線中的至少一者的導通狀態、以及能夠被切換為進行將所述第一參考單元與所述第一I／O參考線隔離以及將所述第二參考單元與所述第二I／O參考線隔離中的至少一者的斷開狀態。

11.如權利要求7所述的存儲器，其特征在于，所述參考線耦合鏈路是將所述第一I／O參考線和所述第二I／O參考線耦合至共用參考節點的可熔鏈路，所述共用參考節點被耦合至所述第一感測放大器且被耦合至所述第二感測放大器，所述可熔鏈路能夠被燒斷以破壞所述共用參考節點。

12.如權利要求11所述的存儲器，其特征在于，所述第一參考單元可選鏈路和所述第二參考單元可選鏈路中的至少一者是可熔鏈路，所述可熔鏈路能夠被燒斷從而進行將所述第一參考單元與所述第一I／O參考線隔離以及將所述第二參考單元與所述第二I／O參考線隔離中的至少一者。

13.如權利要求12所述的存儲器，其特征在于，所述第一參考單元可選鏈路和所述第二參考單元可選鏈路中的至少一者是可開關器件，所述可開關器件能夠被切換為進行將所述第一參考單元耦合至所述第一I／O參考線以及將所述第二參考單元耦合至所述第二I／O參考線中的至少一者的導通狀態、以及能夠被切換為進行將所述第一參考單元與所述第一I／O參考線隔離以及將所述第二參考單元與所述第二I／O參考線隔離中的至少一者的斷開狀態。

14.如權利要求7所述的存儲器，其特征在于，所述參考線耦合鏈路是可開關器件，所述可開關器件能夠被切換為導通以將所述第一I／O參考線和所述第二I／O參考線耦合至共用參考節點、以及能夠被切換為斷開以移除所述共用參考節點，所述共用參考節點被耦合至所述第一感測放大器且被耦合至所述第二感測放大器。