[發(fā)明專利]具有量子點的光源

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201280051700.2
• 申請日: 2012-10-19
• 公開（公告）號: CN103890134A
• 公開（公告）日: 2014-06-25
• 發(fā)明（設計）人: 徐庶;R.A.M.希克梅特
• 申請（專利權）人: 皇家飛利浦有限公司
• 主分類號: C09K11/02
• 分類號: C09K11/02;C09K11/56;C09K11/88;H01L33/50
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 初媛媛;汪揚

1.一種基于發(fā)光納米顆粒的發(fā)光材料（100），包括互連的受到包覆的發(fā)光納米顆粒（20）的基體（10），

-?其中，所述發(fā)光納米顆粒（20）選自由能夠在光譜的可見部分發(fā)光的半導體納米顆粒構成的組，

-?其中，所述發(fā)光納米顆粒（20）包括含有第一包覆材料（125）的第一包層（25），所述第一包覆材料不同于所述納米顆粒的半導體材料，其中，所述第一包覆材料（125）選自由M1_x-M2_y-M3_z-A_(x+2y+3z)/2化合物構成的組，其中，M1選自由Na、Li、Mg、Cu、Ag和Au構成的組，其中，M2選自由Zn和Cd構成的組，其中，M3選自由Ga、As、In和Tl構成的組，并且其中，A選自由O、S、Se、As、P和Te構成的組，其中，x處于0-1的范圍內，其中，y處于0-1的范圍內，其中，z處于0-1的范圍內，并且其中，x、y和z的至少其中之一大于0，

-?其中，所述基體（10）包括含有第二包覆材料（135）的第二包層（35），所述第二包覆材料不同于所述第一包覆材料（125），其中，所述第二包覆材料（135）選自由M4A構成的組，其中，M4選自由Al、Ca、Mg、Zn和Cd構成的組，并且其中，A選自由Cl、F、O、S、Se和Te構成的組。

2.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光材料（100），其中，所述發(fā)光納米顆粒（20）選自由InP、CuInS₂、CuInSe₂、CdTe、CdSe、CdSeTe、AgInS₂、AgInSe₂和ZnSe:Mn構成的組。

3.根據(jù)前述權利要求中的任何一項所述的發(fā)光材料（100），其中，所述第一包層（125）包括選自由Cu_xZn_yIn_zS_(x+2y+3z)/2、Cu_xZn_yIn_zSe_(x+2y+3z)/2、ZnTeSe和CdS構成的組的材料。

4.根據(jù)前述權利要求中的任何一項所述的發(fā)光材料（100），其中，所述基體（10）包括CdSe/CdS桿含點納米顆粒（41）。

5.根據(jù)前述權利要求中的任何一項所述的發(fā)光材料（100），其中，所述基體（10）包括CdSe/CdS芯－殼納米顆粒（42）。

6.根據(jù)前述權利要求中的任何一項所述的發(fā)光材料（100），其中，互連的發(fā)光納米顆粒（20）的基體（10）包括球－接頭結構（50），其中，一個或多個球形部分（51）包括一個或多個受到包覆的發(fā)光納米顆粒（20），其中，所述球形部分通過接頭（52）互連，所述接頭包括選自由M1_x-M2_y-M3_z-A_(x+2y+3z)/2、M4A化合物構成的組的材料。

7.根據(jù)前述權利要求中的任何一項所述的發(fā)光材料（100），其中，所述第二包覆材料（135）選自由MgS、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnSSe、ZnSO₄、Zn_1?xMg_xS_ySe_1?y和TiO₂構成的組。

8.根據(jù)前述權利要求中的任何一項所述的發(fā)光材料（100），其中，所述發(fā)光納米顆粒（10）包括CdSe，其中，所述第一包覆材料（125）包括CdS，并且其中，所述第二包覆材料（135）包括ZnS。

9.根據(jù)前述權利要求中的任何一項所述的發(fā)光材料（100），其中，相鄰的發(fā)光納米顆粒具有至少5nm的最短距離（d），并且其中，所述第二包層（35）具有處于1-50nm的范圍內的包層厚度（d2）。

10.根據(jù)前述權利要求中的任何一項所述的發(fā)光材料，其在25℃具有至少80%的量子效率，與在25℃的量子效率相比其在100℃具有最高20%的量子效率猝滅。