[發明專利]包括光隔離器的集成式光結構

有效

• 申請號: 201280051661.6
• 申請日: 2012-10-17
• 公開（公告）號: CN103891068A
• 公開（公告）日: 2014-06-25
• 發明（設計）人: 段廣華;弗朗索瓦·布里盧埃;讓-路易·根特納
• 申請（專利權）人: 阿爾卡特朗訊
• 主分類號: H01S5/50
• 分類號: H01S5/50;G02F1/095;H01S5/026
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 林斯凱

1.一種集成式光結構，其包括

至少一個SOA光放大器，其包括波導，所述波導包括n型摻雜的半導體層、p型摻雜的半導體層及安置于所述n型摻雜的半導體層與所述p型摻雜的半導體層之間的有源分區，所述至少一個SOA光放大器與以下者相關聯

至少一個光隔離器，其安置于SOI基底與所述SOA光放大器的波導之間，所述至少一個光隔離器包括磁光層，

其中所述磁光層安置于下部絕緣層與上部絕緣層之間。

2.根據權利要求1所述的集成式光結構，其中所述光隔離器的磁光層為鐵磁性金屬材料層。

3.根據權利要求2所述的集成式光結構，其中所述光隔離器的磁光層為Fe-Co金屬合金層。

4.根據權利要求1所述的集成式光結構，其中所述光隔離器的磁光層為磁性氧化物層。

5.根據權利要求1所述的集成式光結構，其中所述上部絕緣層及所述下部絕緣層是由選自硅氮化物Si_xN_y及硅氧化物SiO_x中的一絕緣材料制成。

6.根據權利要求1所述的集成式光結構，其中所述波導的所述n型摻雜的半導體層及所述p型摻雜的半導體層是由III-V族半導體材料制成。

7.根據權利要求1所述的集成式光結構，其中所述波導的有源區包括多量子井結構。

8.一種包括至少一個根據權利要求1所述的集成式光結構的光學裝置，所述至少一個集成式光結構包括至少一個光隔離器及至少一個SOA光放大器。

9.一種用于建構根據權利要求1所述的集成式光結構的方法，其包括

將第一層絕緣材料沉積到SOI基底上，

將磁光層沉積到所述第一層絕緣材料上，

將第二層絕緣材料沉積到所述磁光層上，

將半導電裸片貼附到所述第二層絕緣材料，

處理所述半導電裸片以便產生光波導。

10.根據權利要求10所述的方法，其中通過陰極噴涂方法沉積所述磁光層。

11.根據權利要求10及11中任一權利要求所述的方法，其中蝕刻所述磁光層以便給予所述磁光層使得有可能增加磁光效應的結構。

12.根據權利要求10所述的方法，其包括既定使用機械及化學拋光方法使絕緣材料層的表面平滑的至少一個操作。