[發明專利]光刻設備和方法

有效

• 申請號: 201280051468.2
• 申請日: 2012-09-21
• 公開（公告）號: CN103917920A
• 公開（公告）日: 2014-07-09
• 發明（設計）人: A·杰斯波特森;H·A·蓋里奇;N·達維多娃;B·西格斯
• 申請（專利權）人: ASML荷蘭有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;G03F9/00
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 張啟程

1.一種光刻設備，包括：

支撐結構，構造用以支撐圖案形成裝置，所述圖案形成裝置能夠將圖案在EUV輻射束的橫截面上賦予EUV輻射束以形成圖案化的EUV輻射束；和

投影系統，配置成將圖案化的EUV輻射束投影到襯底的目標部分上，

其中，支撐結構設置有光柵（100,110），所述光柵包括一系列第一反射部分（102,112）和一系列第二反射部分（104,114），該一系列第一反射部分與該一系列第二反射部分交替，第二反射部分（104,114）的反射率小于第一反射部分（102,112）的至少一部分的反射率并且大于零。

2.如權利要求1所述的光刻設備，其中第一反射部分是非圖案化區并且第二反射部分是非圖案化區。

3.如權利要求2所述的光刻設備，其中第一反射部分是矩形的并且第二反射部分是矩形的。

4.如權利要求1所述的光刻設備，其中第一反射部分每一個包括具有反射線（116）和吸收線（118）的子光柵，并且第二反射部分包括非圖案化區。

5.如權利要求4所述的光刻設備，其中光柵（110）還包括一系列吸收部分（115），所述一系列吸收部分位于第一和第二反射部分（112和114）之間。

6.如權利要求4或5所述的光刻設備，其中光柵（110）配置成使得由第一反射部分（112）反射并且被襯底（W）接收的輻射的平均強度基本上等于由第二反射部分（114）反射且被襯底接收的輻射的平均強度。

7.如前述權利要求中任一項所述的光刻設備，其中第二反射部分包括位于反射鏡之上的吸收材料層，所述吸收材料層允許透射一些EUV輻射，使得一些輻射被從反射鏡反射并返回穿過吸收材料層。

8.如前述權利要求中任一項所述的光刻設備，其中第二反射部分（104,114）的反射率是第一反射部分的所述至少一部分的反射率的大約一半。

9.如前述權利要求中任一項所述的光刻設備，其中支撐結構設置有第二光柵（110b），所述第二光柵具有與前述光柵（110,110a）相反的方向。

10.如前述權利要求中任一項所述的光刻設備，其中支撐結構設置有附加光柵，所述附加光柵橫向于前述光柵(100,110)延伸。

11.如前述權利要求中任一項所述的光刻設備，其中第二反射部分（104,114）的反射率足夠高以使得在使用中相當大量的EUV輻射將從第二反射部分被反射。

12.如前述權利要求中任一項所述的光刻設備，其中第二反射部分(104,114)的反射率足夠高以使得在使用中從第二反射部分反射的EUV輻射將對在襯底（W）上的抗蝕劑中形成的光柵(100,110)的圖像產生可測量的影響。

13.一種圖案形成裝置，設置有光柵，所述光柵包括一系列第一反射部分和一系列第二反射部分，該一系列第一反射部分與該一系列第二反射部分交替，第二反射部分的反射率小于第一反射部分的至少一部分的反射率并且大于零。

14.一種用于測量由光刻設備投影到襯底上的輻射的劑量的方法，所述方法包括：使用EUV輻射照射根據權利要求2或3所述的光柵和使用光刻設備將該光柵成像到襯底上的抗蝕劑中，隨后使用光刻設備的對準設備測量被成像的光柵的重心。

15.一種用于測量光刻設備的焦平面的位置的方法，所述方法包括：使用EUV輻射照射根據權利要求4-6中任一項所述的光柵和使用光刻設備將該光柵成像到襯底上的抗蝕劑中，隨后使用光刻設備的對準設備測量被成像的光柵的重心。