[發明專利]濺射靶及其用途

無效

• 申請號: 201280050110.8
• 申請日: 2012-09-28
• 公開（公告）號: CN104011255A
• 公開（公告）日: 2014-08-27
• 發明（設計）人: A.赫佐格;M.舒爾泰斯;S.施奈德-貝茨;M.施洛特;W.德瓦爾德
• 申請（專利權）人: 賀利氏材料工藝有限責任兩合公司;弗勞恩霍弗實用研究促進協會
• 主分類號: C23C14/08
• 分類號: C23C14/08;C23C14/34;C23C14/00
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 石克虎;李炳愛

1.由含有至少兩個相或組分的材料制成的濺射靶，其特征在于

還原金屬氧化物形成基質且元素金屬或金屬合金嵌在所述氧化物基質中。

2.根據權利要求1的濺射靶，其特征在于金屬氧化物占55體積%至98體積%，且金屬或金屬合金占2體積%至45體積%。

3.根據權利要求2的濺射靶，其特征在于金屬氧化物占90體積%至98體積%，且金屬或金屬合金占2體積%至10體積%。

4.根據權利要求2的濺射靶，其特征在于金屬氧化物占55體積%至70體積%，且金屬或金屬合金占30體積%?-?45體積%。

5.根據權利要求1至4任一項的濺射靶，其特征在于比電阻為1.5??cm或更低。

6.根據權利要求1至5任一項的濺射靶，其可通過在惰性還原條件下燒結制造。

7.根據前述權利要求任一項的濺射靶，其特征在于所述金屬氧化物選自元素周期表第4-6族的氧化物，且所述金屬選自銀和鋁。

8.根據權利要求7的濺射靶，其特征在于所述金屬氧化物是氧化鈮且所述金屬是銀。

9.根據前述權利要求任一項的濺射靶，其特征在于其密度>理論密度的85%。

10.根據權利要求9的濺射靶，其特征在于其密度>95%。

11.根據前述權利要求任一項的濺射靶在高電阻的光吸收層系統的制造方法中的用途。

12.根據權利要求11的用途，其用于制造高電阻的光吸收層系統，其中所有光吸收層的總厚度為30至150納米。

13.根據權利要求11或12的用途，其特征在于

連續使用兩個不同的靶以制造層系統，由此第一濺射靶含有90至98%體積分數的氧化鈮和2至20%體積分數的銀，第二濺射靶含有55%至70%體積分數的氧化鈮和30至45%體積分數的銀。