[發明專利]陶瓷構件、半導體制造裝置用構件及陶瓷構件的制造方法

有效

• 申請號: 201280049986.0
• 申請日: 2012-10-10
• 公開（公告）號: CN103857643A
• 公開（公告）日: 2014-06-11
• 發明（設計）人: 渡邊守道;神藤明日美;勝田祐司;佐藤洋介;磯田佳范;渡邊篤
• 申請（專利權）人: 日本礙子株式會社
• 主分類號: C04B35/04
• 分類號: C04B35/04;C04B35/58;H01L21/683
• 代理公司: 上海市華誠律師事務所 31210
• 代理人: 李曉

1.一種陶瓷構件，包含陶瓷基體和電極，

所述陶瓷基體以Al、N成分固溶于氧化鎂中形成的Mg（Al）O（N）為主相，

所述電極配置于所述陶瓷基體的一部分上，含有氮化物、碳化物、碳氮化物及金屬中的任意1個以上作為電極成分。

2.根據權利要求1所述的陶瓷構件，所述陶瓷基體中，使用CuKα射線時的所述Mg（Al）O（N）的（111）面、（200）面、（220）面的XRD波峰分別出現在氧化鎂的立方晶波峰與氮化鋁的立方晶波峰之間的2θ=36.9～39°，42.9～44.8°，62.3～65.2°。

3.根據權利要求1或2所述的陶瓷構件，所述陶瓷基體的所述Mg（Al）O（N）的（200）面、（220）面的XRD波峰分別出現在2θ=42.92°以上，62.33°以上。

4.根據權利要求1～3任意一項所述的陶瓷構件，所述陶瓷基體的所述Mg（Al）O（N）的（200）面的XRD波峰的積分寬度在0.50°以下。

5.根據權利要求1～4任意一項所述的陶瓷構件，所述陶瓷基體不含AlN晶相。

6.根據權利要求1～5任意一項所述的陶瓷構件，所述陶瓷基體含有Mg-Al氮氧化物相作為副相，所述Mg-Al氮氧化物相在使用CuKα射線時的XRD波峰至少出現在2θ=47～49°。

7.根據權利要求6所述的陶瓷構件，對于所述陶瓷基體，將所述Mg-Al氮氧化物相的2θ=47～49°的XRD波峰強度設為A、所述Mg（Al）O（N）的（220）面的2θ=62.3～65.2°的XRD波峰強度設為B時，A/B在0.03以上。

8.根據權利要求7所述的陶瓷構件，所述陶瓷基體的所述A/B在0.14以下。

9.根據權利要求1～8任意一項所述的陶瓷構件，所述陶瓷基體的混合粉末組成為：氧化鎂在49質量%以上、99質量%以下，氮化鋁在0.5質量%以上、25質量%以下，氧化鋁在0.5質量%以上、30質量%以下。

10.根據權利要求1～9任意一項所述的陶瓷構件，所述電極含有氮化物、碳化物、碳氮化物、金屬中的任意1個以上作為電極成分，所述氮化物、碳化物、碳氮化物、金屬包含Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Al、Ru、Ir、Rh、Pt中的1個以上。

11.根據權利要求1～10任意一項所述的陶瓷構件，所述電極的所述電極成分的熱膨脹率在4.0ppm/K以上。

12.根據權利要求1～11任意一項所述的陶瓷構件，所述電極包含所述電極成分和含有Mg及O的填料成分。

13.根據權利要求1～12任意一項所述的陶瓷構件，所述電極的電阻率在10Ωcm以下。

14.根據權利要求1～13任意一項所述的陶瓷構件，所述陶瓷基體與所述電極的原料成分的熱膨脹率差的絕對值在0.8ppm/K以下。

15.根據權利要求1～13任意一項所述的陶瓷構件，所述陶瓷基體與含有金屬成分及填料成分的所述電極的熱膨脹率差的絕對值在3.0ppm/K以下。

16.一種半導體制造裝置用構件，包含權利要求1～15任意一項所述的陶瓷構件。

17.一種陶瓷構件的制造方法，是通過在含有Mg、O、Al及N成分的陶瓷成形體或燒結體的一部分上，配置含有氮化物、碳化物、碳氮化物及金屬中的任意1個以上的電極原料后，將含有Mg、O、Al及N成分的所述陶瓷成形體或燒結體和所述電極原料共燒結，由此制作權利要求1～14任意一項所述的陶瓷構件。

18.根據權利要求17所述的陶瓷構件的制造方法，其使用熱壓燒結所述成形體。