[發明專利]具有局部背接觸的太陽能電池的制造方法

有效

• 申請號: 201280049697.0
• 申請日: 2012-10-05
• 公開（公告）號: CN104247033A
• 公開（公告）日: 2014-12-24
• 發明（設計）人: P.嘉弗倫諾;J.達思;A.尤魯納德卡斯特羅
• 申請（專利權）人: IMEC公司;道達爾銷售服務公司;勒芬天主教大學K.U.勒芬R&D
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/18;H01L31/061;H01L21/268
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 焦玉恒

1.具有局部背接觸的太陽能電池（1）的制造方法，該太陽能電池包括至少兩層的電介質疊層（10），該至少兩層的電介質疊層（10）至少包括與p型硅層（3）接觸的AlOx的第一電介質層（11）和沉積在第一電介質層（11）上的第二電介質層（13），其特征在于，該方法包括在該電介質疊層（10）中形成至少一個局部開口（15）的步驟，在該局部開口的位置至少部分保留所述第一電介質層（11）。

2.根據權利要求1所述的制造方法，其中在該電介質疊層（10）中形成至少一個局部開口（15）的步驟包括激光燒蝕步驟。

3.根據權利要求2所述的制造方法，其中該燒蝕步驟采用脈沖持續時間小于幾個納秒的脈沖激光執行。

4.根據權利要求1至3中任何一項所述的制造方法，其中該第一電介質層（11）顯示允許場效應鈍化的負電荷。

5.根據權利要求1至4中任何一項所述的制造方法，其中該第一電介質層（11）在燒蝕后具有至少幾個單層的厚度。

6.根據權利要求1至5中任何一項所述的制造方法，其中該AlOx的第一電介質層（11）在燒蝕后具有1nm至30nm之間的厚度。

7.根據權利要求1至6中任何一項所述的制造方法，其中該第二電介質層（13）由SiNx制成。

8.根據權利要求2至7中任何一項所述的制造方法，其中該燒蝕步驟采用在UV區域中輻射的、更具體地在355nm周圍輻射的激光執行。

9.根據權利要求1至8中任何一項所述的制造方法，其中在該燒蝕步驟后進行在光伏電池的背面（19）上施加金屬化層（17）的步驟。

10.根據權利要求9所述的制造方法，其中該施加金屬化層（17）由基于Al的金屬化方法執行。

11.根據權利要求1至9中任何一項所述的制造方法，其中在該施加金屬化層（17）之后，通過在溫度T>740℃的爐中燒制而在保留至少一個局部開口（15）的區域上執行背表面場（BSF）的形成。

12.根據權利要求1至9中任何一項所述的制造方法，其中在該施加金屬化層（17）之后，進行退火步驟以在該背側區域（19）上形成金屬接觸，例如在400℃。