[發明專利]底部填充組合物有效
| 申請號: | 201280049573.2 | 申請日: | 2012-09-07 |
| 公開(公告)號: | CN103875065A | 公開(公告)日: | 2014-06-18 |
| 發明(設計)人: | 堀口有亮;佐野美惠子;佐藤憲一朗 | 申請(專利權)人: | 漢高股份有限及兩合公司 |
| 主分類號: | H01L21/60 | 分類號: | H01L21/60;C08F220/10;C08F222/40;C08F226/06;H01L23/29;H01L23/31 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人: | 于輝 |
| 地址: | 德國杜*** | 國省代碼: | 德國;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 底部 填充 組合 | ||
技術領域
本發明涉及一種可用于制備電子裝置——特別是半導體裝置——的組合物及其用途。
背景技術
作為一項用于半導體芯片的安裝技術,倒裝芯片技術是已知的,其中通過該技術將半導體芯片直接連接到襯底上。在倒裝芯片安裝中,通過在半導體芯片的元件形成表面側上形成的電極(凸起(bump))連接半導體芯片和電路襯底。在該情況下,為了接合部件的加固和連接件可靠性的提高,一般在半導體芯片和接線襯底之間填充底部填充密封劑(其為粘合劑組合物)。
作為一種底部填充組合物,已知含環氧基化合物和/或(甲基)丙烯酸化合物等的粘合劑組合物(如專利文獻1)。在這些中,利用(甲基)丙烯酸化合物的自由基固化反應的組合物,相對于含環氧基化合物的組合物,具有反應速率更高并且可提高制備電子裝置的效率的優點。
同時,根據需要將各種添加劑(例如抗氧化劑和金屬離子粘合劑)混合入底部填充組合物中。通過這種方式,可提高電子裝置的質量,例如提高機械強度、粘合性、交聯速率等(專利文獻2)。
作為一種用于填充底部填充密封劑的方法,已知以下兩種方法:其中首先將液體組合物施加至接線襯底上、然后安裝半導體芯片以同時進行電極連接和密封的方法;其中首先建立半導體芯片上的電極和襯底間的電連接、然后將液體粘合劑組合物施加至芯片的一側或多側上以通過毛細管作用來密封接線襯底和半導體芯片間的間隙的方法(所謂的毛細管方法)等。通過所述方法中的任何一種,需要將液體粘合劑組合物施加至整個接線襯底上,在半導體芯片和接線襯底間的間隙中均勻地填充液體粘合劑組合物等。因此,有時,按需將注射器、襯底等加熱至室溫或更高溫度以提高粘合劑組合物的流動性。
但是,當使用利用自由基固化反應的底部填充密封劑時,存在這樣的問題:在進行密封前,底部填充密封劑組合物的固化反應可能有時過早進行,從而導致電極連接不足或工作效率差。當粘合劑組合物處于如上所述的室溫或更高溫度的狀態下時容易發生這些問題。為了克服這些問題,在底部填充密封劑組合物中混入添加劑或降低工作溫度,但是仍然不夠。因此,仍在尋求對用于電子裝置的粘合劑組合物進一步改善。
引用列表
專利文獻
專利文獻1:日本專利特開(Laid-Open)No.2010-226098
專利文獻2:日本專利特開No.H08(1996)-213517
發明內容
技術問題
本發明的一個目的是解決在使用常規粘合組合物劑組合物中的上述問題,以及提供一種提高電子裝置的生產率的組合物。此外,本發明的另一個目的是提供含有該組合物的電子裝置或電器。
解決技術問題所采取的技術方案
本發明涉及以下方案。
1、底部填充密封劑組合物,所述組合物包含:
(a)(甲基)丙烯酸化合物和
(c)具有烯丙基的異氰脲酸。
2、根據上述第1項的組合物,其還包含(b)馬來酰亞胺化合物。
3、根據上述第2項的組合物,其中所述馬來酰亞胺化合物(b)包括雙馬來酰亞胺。
4、根據上述第1-3項中任一項的組合物,還包含自由基引發劑。
5、根據上述第1-4項中任一項的組合物,所述組合物包含:
基于組合物的總重的10-90重量%的(a)(甲基)丙烯酸化合物和
基于組合物的總重的0.001-20重量%的(c)具有烯丙基的異氰脲酸。
6、根據上述第2-5項中任一項的組合物,所述組合物包含基于組合物的總重的0.1-50重量%的(b)馬來酰亞胺化合物。
7、根據上述第1-6項中任一項的組合物,其用于倒裝芯片安裝中。
8、電子裝置,所述電子裝置包含根據上述第1-7項中任一項的組合物的固化產物。
9、電器,所述電器包含根據上述第8項的電子裝置。
發明的有益效果
根據本發明的組合物在室溫或更高溫度且80℃或更低溫度下的固化反應的進行可被充分地抑制。因此,本發明的組合物不會造成在半導體芯片的倒裝芯片安裝過程中有缺陷的電極連接,并且可確保在安裝過程中足夠的工作時間。結果,可提供更高質量的產品而不降低通過倒裝芯片安裝來制造電子裝置的生產效率。
具體實施方式
根據本發明的用于電子裝置的組合物至少包含
(a)(甲基)丙烯酸化合物,和
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





