[發明專利]用于絕緣導線的一體式接合頭有效
| 申請號: | 201280049350.6 | 申請日: | 2012-10-04 |
| 公開(公告)號: | CN103987915B | 公開(公告)日: | 2016-11-09 |
| 發明(設計)人: | G·L·赫雷拉;T·A·克蘭尼;R·A·謝弗;D·阿羅拉;J·M·諾埃爾 | 申請(專利權)人: | 國際殼牌研究有限公司 |
| 主分類號: | E21B43/00 | 分類號: | E21B43/00;H01R13/40 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人: | 趙培訓 |
| 地址: | 荷蘭*** | 國省代碼: | 荷蘭;NL |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 絕緣 導線 體式 接合 | ||
1.一種用于耦合絕緣導線加熱器的加熱部分和上覆層部分的方法,包括:
將加熱部分的芯部耦合于上覆層部分的芯部,其中,加熱部分的芯部的直徑小于上覆層部分的芯部的直徑;
在加熱部分的芯部上放置第一絕緣層,使得加熱部分的芯部的端部的至少一部分暴露出來;
在上覆層部分的芯部上放置第二絕緣層,使得第二絕緣層在加熱部分的芯部的暴露部分上延伸,其中,第二絕緣層的厚度小于第一絕緣層的厚度,且上覆層部分的外徑與加熱部分的外徑大體上相同;和
在加熱部分和上覆層部分周圍放置外導電體。
2.如權利要求1所述的方法,還包括:壓實絕緣導線,以減小外導電體的橫截面面積并壓實外導電體內部的第一絕緣層和第二絕緣層。
3.如權利要求2所述的方法,其中,第二絕緣層的壓實填充了第二絕緣層與加熱部分的芯部的暴露部分之間的空隙。
4.如權利要求1所述的方法,其中,加熱部分的芯部包括銅和鎳。
5.如權利要求1所述的方法,其中,上覆層部分的芯部包括銅。
6.如權利要求1所述的方法,其中,第一絕緣層包括氧化鎂。
7.如權利要求1所述的方法,其中,第二絕緣層包括氧化鎂。
8.如權利要求1所述的方法,其中,第一絕緣層包括一個或更多個絕緣塊。
9.如權利要求1所述的方法,其中,第二絕緣層包括一個或更多個絕緣塊。
10.一種用于耦合絕緣導線加熱器的加熱部分和上覆層部分的方法,包括:
將加熱部分的芯部耦合于第一過渡部分的芯部,其中,第一過渡部分的芯部的直徑與加熱部分的芯部的直徑大體相同;
將第一過渡部分的芯部耦合于第二過渡部分的芯部,其中,第二過渡部分的芯部的直徑從與在第一過渡部分的芯部與第二過渡部分的芯部之間的耦合處的第一過渡部分的芯部大體相同的直徑漸變至沿著第二過渡部分的芯部的長度的較大直徑;
將第二過渡部分的芯部耦合于上覆層部分的芯部,其中,上覆層部分的芯部的直徑與第二過渡部分的芯部的所述較大直徑大體相同;
在加熱部分的芯部上以及在第一過渡部分的芯部的至少一部分上放置第一絕緣層;
在上覆層部分的芯部上以及在第二過渡部分的芯部的至少一部分上放置第二絕緣層,其中,第二絕緣層的厚度小于第一絕緣層的厚度;和
在第一絕緣層和第二絕緣層周圍放置外導電體,其中,加熱部分、第一過渡部分、第二過渡部分和上覆層部分的外徑在沿著絕緣導線加熱器的長度上大體相同。
11.如權利要求10所述的方法,還包括:壓實絕緣導線,以減小外導電體的橫截面面積并壓實外導電體內部的第一絕緣層和第二絕緣層。
12.如權利要求11所述的方法,其中,第二絕緣層的壓實填充了第二絕緣層與加熱部分的芯部的暴露部分之間的空隙。
13.如權利要求10所述的方法,其中,第一過渡部分的芯部、第二過渡部分的芯部和上覆層部分的芯部包括基本上相同的材料。
14.如權利要求13所述的方法,其中,加熱部分的芯部包括與第一過渡部分的芯部、第二過渡部分的芯部或上覆層部分的芯部不同的材料。
15.如權利要求10所述的方法,其中,加熱部分的芯部包括銅和鎳。
16.如權利要求10所述的方法,其中,上覆層部分的芯部包括銅。
17.如權利要求10所述的方法,其中,第一過渡部分的芯部包括銅。
18.如權利要求10所述的方法,其中,第二過渡部分的芯部包括銅。
19.如權利要求10所述的方法,其中,第一絕緣層和第二絕緣層包括氧化鎂。
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