[發明專利]太陽能電池及其制造方法在審
| 申請號: | 201280049143.0 | 申請日: | 2012-09-19 |
| 公開(公告)號: | CN103875083A | 公開(公告)日: | 2014-06-18 |
| 發明(設計)人: | 林真宇 | 申請(專利權)人: | LG伊諾特有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京鴻元知識產權代理有限公司 11327 | 代理人: | 許向彤;陳英俊 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能電池 及其 制造 方法 | ||
1.一種太陽能電池,包括:
背電極層;
在所述背電極層上的光吸收層;
在所述光吸收層上的前電極層;以及
在所述前電極層中或者在所述光吸收層與所述前電極層之間的多個光路改變顆粒。
2.如權利要求1所述的太陽能電池,其中,所述光路改變顆粒用作導體。
3.如權利要求2所述的太陽能電池,其中,所述光路改變顆粒包括金屬。
4.如權利要求3所述的太陽能電池,其中,所述光路改變顆粒包括從金(Au)、銀(Ag)和鋁(Al)所構成的組里選出的材料。
5.如權利要求1所述的太陽能電池,其中,每個光路改變顆粒的直徑為約1nm到約50nm。
6.如權利要求1所述的太陽能電池,其中,所述光路改變顆粒散射入射光。
7.如權利要求1所述的太陽能電池,進一步包括位于所述光吸收層和所述前電極層之間的緩沖層,其中,所述光路改變顆粒直接設置在所述緩沖層的上表面上。
8.如權利要求1所述的太陽能電池,進一步包括:
在所述光吸收層和所述前電極層之間的緩沖層;以及
在所述緩沖層和所述前電極層之間的高阻緩沖層,
其中,所述光路改變顆粒直接設置在所述高阻緩沖層和所述前電極層之間的界面上。
9.如權利要求1所述的太陽能電池,其中,所述光路改變顆粒設置在同一平面上。
10.如權利要求1所述的太陽能電池,其中,所述前電極層包括:
在所述光吸收層上的第一前電極層;以及
在所述第一前電極層上的第二前電極層,并且
其中,所述光路改變顆粒插入所述第一和第二前電極層之間。
11.如權利要求1所述的太陽能電池,其中,所述光路改變顆粒覆蓋所述光吸收層的上表面的整個面積的5%到30%。
12.一種太陽能電池的制造方法,該方法包括:
在基板上形成背電極層;
在所述背電極層上形成光吸收層;
在所述光吸收層上形成前電極層;以及
在所述光吸收層和所述前電極層之間或者在所述前電極層中形成多個光路改變顆粒。
13.如權利要求12所述的方法,其中,在所述光吸收層和所述前電極層之間或者在所述前電極層中形成所述光路改變顆粒中,所述光路改變顆粒設置在所述光吸收層上,并且所述前電極層覆蓋所述光路改變顆粒。
14.如權利要求12所述的方法,其中,在所述光吸收層和所述前電極層之間或者在所述前電極層中形成所述光路改變顆粒中,將所述光路改變顆粒分散在溶劑中,并且將分散有所述光路改變顆粒的所述溶劑涂布在所述光吸收層上,然后將所述溶劑去除。
15.如權利要求12所述的方法,其中,在所述光吸收層上形成所述前電極層包括:
在所述光吸收層上形成第一前電極層;
在所述第一前電極層上設置所述光路改變顆粒;以及
在所述光路改變顆粒上形成第二前電極層。
16.如權利要求15所述的方法,其中,所述第一和第二前電極層包括相同的材料。
17.如權利要求12所述的方法,其中,所述光路改變顆粒和所述前電極層經歷熱處理。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





