[發明專利]利用多個關鍵尺寸的側壁圖像轉移

有效

• 申請號: 201280048968.0
• 申請日: 2012-05-29
• 公開（公告）號: CN103843114A
• 公開（公告）日: 2014-06-04
• 發明（設計）人: S·拉古納塔安;S·卡納卡薩巴帕特伊;R·O·尤恩格;A·H·加伯爾;S·D·伯恩斯;E·C·邁克萊拉恩
• 申請（專利權）人: 國際商業機器公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 李曉芳

1.一種方法，包括：

在多個芯棒（106、806）上方形成多級介電層（301、1001、圖11（c）、圖12（d）），所述多級介電層具有覆蓋所述多個芯棒的多個區域（301a、301b），所述多級介電層的所述多個區域具有不同的厚度；

通過施加定向蝕刻過程將所述多級介電層的所述多個區域蝕刻成間隔（401a、401b），所述間隔緊挨著所述多個芯棒的側壁形成并且具有與所述多級介電層的所述多個區域的所述不同的厚度對應的不同的寬度；

移除在所述間隔中間的所述多個芯棒；以及

將所述間隔的底部圖像轉移到所述間隔下面的一個或多個層（103-105）中。

2.如權利要求1所述的方法，其中形成所述多級介電層包括：

在所述多個芯棒上方形成基本上共形的介電層（201、807、圖11（b）、圖12（b））；

利用掩模（202、808、1120、1230）覆蓋所述基本上共形的介電層的第一部分；

在蝕刻過程中蝕刻所述基本上共形的介電層的其余部分，該其余部分是所述基本上共形的介電層的第二部分并且不被所述掩模覆蓋，從而使得所述基本上共形的介電層的所述第二部分的厚度小于所述基本上共形的介電層的所述第一部分的厚度；以及

移除所述掩模。

3.如權利要求2所述的方法，其中所述基本上共形的介電層包括相繼沉積的至少第一（1211）和第二（1221）介電材料層，并且其中蝕刻所述基本上共形的介電層的所述第二部分包括移除未被所述掩模（1230）覆蓋的所述第二介電材料層以暴露它下面的所述第一介電材料層。

4.如權利要求3所述的方法，其中所述第二層的所述介電材料不同于所述第一層的所述介電材料，并且所述移除所述第二介電材料層通過對所述第一介電材料層選擇性的蝕刻過程執行。

5.如權利要求2所述的方法，在移除作為第一掩模的所述掩模之后，還包括：

形成覆蓋所述基本上共形的介電層的第三部分第二掩模（1002）；

在蝕刻過程中蝕刻所述基本上共形的介電層的其余部分，該其余部分是所述基本上共形的介電層的第四部分并且不被所述第二掩模覆蓋；以及

移除所述第二掩模。

6.如權利要求5所述的方法，其中所述基本上共形的介電層的所述第三部分是先前被所述第一掩模覆蓋的所述基本上共形的介電層的所述第一部分的一部分，并且其中所述基本上共形的介電層的所述第四部分的所述蝕刻在所述基本上共形的介電層的三個不同的區域中產生三個不同的厚度。

7.如權利要求5所述的方法，其中所述基本上共形的介電層的所述第三部分是所述基本上共形的介電層的所述第一部分的區段和所述第二部分的區段的組合，并且其中所述基本上共形的介電層的所述第四部分的所述蝕刻在所述基本上共形的介電層的四個不同的區域中產生四個不同的厚度。

8.如權利要求1所述的方法，其中在不同厚度的所述多個區域的每一個之內，所述多級介電層是基本上共形的介電層。

9.如權利要求1所述的方法，其中轉移所述間隔的底部圖像包括施加定向蝕刻過程以蝕刻掉所述一個或多個層的多個部分，由此所述間隔通過將所述間隔作為保護掩膜施加來形成。

10.如權利要求1所述的方法，其中所述掩模是硬掩模。

11.一種方法，包括：

在多個芯棒上方形成基本上共形的介電層（201、807、圖11（b）、圖12（b）），所述基本上共形的介電層具有覆蓋所述多個芯棒的多個區域；

將所述基本上共形的介電層轉換成在所述多個區域中具有不同的厚度的多級介電層（301、1001、圖11（c）、圖12（d））；

將所述多級介電層的所述多個區域蝕刻成間隔（401a、401b），所述間隔鄰近所述多個芯棒的側壁并且具有與所述多級介電層的所述多個區域的所述不同的厚度對應的不同的寬度；

移除在所述間隔中間的所述多個芯棒；以及

將所述間隔的底部圖像轉移到所述間隔下面的一個或多個層（103-105）中。