[發明專利]電子束光刻裝置以及光刻方法

有效

• 申請號: 201280048943.0
• 申請日: 2012-09-27
• 公開（公告）號: CN103858211A
• 公開（公告）日: 2014-06-11
• 發明（設計）人: 安田洋
• 申請（專利權）人: 株式會社PARAM
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;H01J37/305
• 代理公司: 北京金信立方知識產權代理有限公司 11225
• 代理人: 黃威;王濤

1.一種電子束光刻方法，其中電子束光刻裝置被用于在樣本上掃描多條個別要素波束以用于光刻，

所述電子束光刻裝置包括：

電子槍，其在Z軸方向上射出電子束；

屏蔽板，其具有在X方向和Y方向上以預定的布置節距布置的多個開口，所述屏蔽板從自所述電子槍射出的電子束中獲得具有限制為所述開口的尺寸的波束尺寸的多條個別要素波束；

多個個別遮光器，其配置為個別地打開/關閉通過所述屏蔽板而獲得的多條個別要素波束；

全體遮光器，其配置為全體地打開/關閉從多個個別遮光器射出的多條個別要素波束；以及

偏向器，其使通過多個個別遮光器及全體遮光器的多條個別要素波束全體以預定節距逐漸偏向，從而關于所述樣品步進式地掃描所述多條個別要素波束，

其中

在從所述全體遮光器射出多條個別要素波束被關閉的狀態下，通過所述偏向器來確定多條個別要素波束的射出方向，并且，依照顯示從各射出方向上每一個拍攝所產生的各個別遮光器射出個別要素波束的打開/關閉的位映像，來控制所述多個個別要素遮光器，以控制從各個別要素遮光器射出的個別要素波束的打開/關閉，

在從各個別遮光器射出個別要素波束的處理穩定后，從全體遮光器射出多條個別要素波束被打開，對所述樣本射出來自處于打開狀態的多個個別遮光器的個別要素波束所形成的一個拍攝，并且，通過所述偏向器重復由多條個別波束形成的所述一個拍攝射出同時反復移動多條個別要素波束的位置，將依照作為光刻目標的所述圖案數據的圖案繪制于所述樣本上，并且

所述位映像基于所述圖案數據以及依照所述屏蔽板中開口的布置節距而確定的多條個別要素波束對樣本的照射位置之間的比較而產生，并且，在產生該位映像時，計算用于進行對應于所述圖案數據的光刻所需要的拍攝數量，當計算出的所需要的拍攝數量超過預定數量時，變更所述圖案數據。

2.根據權利要求1所述的電子束光刻方法，其中

假設多個個別遮光器的布置節距為P并且圖案數據中的圖案的反復節距為L，選擇適當的L，使得P與L的最小公倍數除以L或P所獲得的值不超過預定值，并基于選擇的L值來修正待繪制的圖案數據。

3.根據權利要求1所述的電子束光刻方法，其中

設置所述多組屏蔽板和個別遮光器，使各組中的X方向和Y方向上的布置節距彼此不同，并且依照所述圖案數據來選擇所述多組中的一個用于光刻。

4.根據權利要求1所述的電子束光刻方法，其中

從外部經由并串聯數據變換電路供給所述位映像數據，并且通過解串器作為并聯數據而存儲于寄存器中。

5.根據權利要求4所述的電子束光刻方法，其中

在從外部經由并串聯數據變換電路供給所述位映像數據，并通過解串器作為并聯數據而存儲于寄存器中的過程中，采用使用光纖的激光光學通信。

6.一種電子束光刻裝置，用于根據權利要求1所述的電子束光刻方法，其中

所述個別遮光器具有使個別要素波束偏向的一對電極，并且

在所述一對電極中，使用包括SiC、Si等的本征半導體層或半導體的耗盡層作為絕緣膜。