[發(fā)明專利]信號傳輸電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201280048505.4 | 申請日: | 2012-04-18 |
| 公開(公告)號: | CN103858395A | 公開(公告)日: | 2014-06-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 諸熊健一;富澤淳 | 申請(專利權(quán))人: | 三菱電機株式會社 |
| 主分類號: | H04L25/02 | 分類號: | H04L25/02 |
| 代理公司: | 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會專利商標(biāo)事務(wù)所 11038 | 代理人: | 李今子 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 信號 傳輸 電路 | ||
1.一種信號傳輸電路(100;200),經(jīng)由絕緣元件傳輸信號,該信號傳輸電路具備:
脈沖變換單元(6),接受輸入信號,并將所述輸入信號變換為脈沖信號;
絕緣電路(5;2401,2402),包含所述絕緣元件,接受來自所述脈沖變換單元(6)的輸出,并輸出相對應(yīng)的互補的第1輸出信號以及第2輸出信號;
第1柵極接地電路(18),放大所述第1輸出信號;
第2柵極接地電路(19),放大所述第2輸出信號;
第1MOS晶體管(8),漏極端子連接于接受所述第1柵極接地電路(18)的所述第1輸出信號的節(jié)點,用于調(diào)整所述第1輸出信號;
第2MOS晶體管(9),漏極端子連接于接受所述第2柵極接地電路(19)的所述第2輸出信號的節(jié)點,調(diào)整所述第2輸出信號;
恒流源(10),一端連接有電源節(jié)點,另一端連接有所述第1MOS晶體管(8)的源極端子和所述第2MOS晶體管(9)的源極端子;以及
比較器(16),將所述第1柵極接地電路(18)的輸出與所述第2柵極接地電路(19)的輸出進(jìn)行比較。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的信號傳輸電路,其特征在于,
所述絕緣元件包含薄膜變壓器(5)或者電容(2401,2402)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或者2所述的信號傳輸電路,其特征在于,
能夠根據(jù)所述第1MOS晶體管(8)的第1柵極電壓與所述第2MOS晶體管(9)的第2柵極電壓的電位差來調(diào)整所述第1輸出信號以及第2輸出信號的電壓。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或者2所述的信號傳輸電路,其特征在于,
通過不改變所述第1MOS晶體管(8)的第1柵極電壓與所述第2MOS晶體管(9)的第2柵極電壓的電位差而增加所述第1柵極電壓以及第2柵極電壓,由此使所述第1柵極接地電路以及第2柵極接地電路(19)的增益變小。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或者2所述的信號傳輸電路,其特征在于,
通過不改變所述第1MOS晶體管(8)的第1柵極電壓與所述第2MOS晶體管(9)的第2柵極電壓的電位差而減少所述第1柵極電壓以及第2柵極電壓,由此使所述第1柵極接地電路以及第2柵極接地電路(19)的增益變大。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或者2所述的信號傳輸電路,其特征在于,
通過不改變所述第1MOS晶體管(8)的第1柵極電壓與所述第2MOS晶體管(9)的第2柵極電壓的電位差而增加所述第1柵極電壓以及第2柵極電壓,由此使所述第1柵極接地電路以及第2柵極接地電路(19)的輸出直流電壓變小。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或者2所述的信號傳輸電路,其特征在于,
通過不改變所述第1MOS晶體管(8)的第1柵極電壓與所述第2MOS晶體管(9)的第2柵極電壓的電位差而減少所述第1柵極電壓以及第2柵極電壓,由此使所述第1柵極接地電路以及第2柵極接地電路(19)的輸出直流電壓變大。
8.一種信號傳輸電路(300,400),經(jīng)由絕緣元件傳輸信號,該信號傳輸電路具備:
脈沖變換單元(6),接受輸入信號,并將所述輸入信號變換為脈沖信號;
絕緣電路(5;2401,2402),包含所述絕緣元件,接受來自所述脈沖變換單元(6)的輸出,并輸出相對應(yīng)的互補的第1輸出信號以及第2輸出信號;
第1柵極接地電路(18),放大所述第1輸出信號;
第2柵極接地電路(19),放大所述第2輸出信號;
第1MOS晶體管(801),漏極端子接受所述絕緣電路的所述第1輸出信號,柵極端子接受所述絕緣電路的所述第2輸出信號,用于使所述第1輸出信號與所述第2輸出信號的電位差變大;
第2MOS晶體管(901),漏極端子接受所述絕緣電路的所述第2輸出信號,柵極端子接受所述絕緣電路的所述第1輸出信號,用于使所述第1輸出信號與所述第2輸出信號的電位差變大;
恒流源(10),一端連接有電源節(jié)點,另一端連接有所述第1MOS晶體管(801)的源極端子和所述第2MOS晶體管(901)的源極端子;以及
比較器(16),將所述第1柵極接地電路(18)的輸出與所述第2柵極接地電路(19)的輸出進(jìn)行比較。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的信號傳輸電路,其特征在于,
所述絕緣元件包含薄膜變壓器(5)或者電容(2401,2402)。
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