[發明專利]快速熱處理腔室有效
| 申請號: | 201280048459.8 | 申請日: | 2012-10-22 |
| 公開(公告)號: | CN103858214B | 公開(公告)日: | 2017-02-22 |
| 發明(設計)人: | 柯克·莫里茨;阿倫·繆爾·亨特 | 申請(專利權)人: | 應用材料公司 |
| 主分類號: | H01L21/324 | 分類號: | H01L21/324;H01L21/02 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司11006 | 代理人: | 徐金國,趙靜 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 快速 熱處理 | ||
1.一種腔室,包含:
腔室主體;
基板支撐件,所述基板支撐件設置在所述腔室主體內,所述基板支撐件具有多個區域,所述多個區域可被獨立地加熱以加熱定位在所述基板支撐件上的基板;以及
腔室蓋,所述腔室蓋設置在所述腔室主體上,所述腔室蓋包含:
蓋主體,所述蓋主體包含鋁,所述蓋主體具有圓形開口,所述圓形開口設置成穿過所述蓋主體;
反射板,所述反射板定位在所述圓形開口內,并且所述反射板具有表面,所述表面鄰近于所述基板支撐件的上表面;以及
多個高溫計,所述多個高溫計設置成穿過形成在所述反射板中的開口,以在遍及所述基板表面的多個位置處測量所述基板的溫度,其中所述多個高溫計中的每一個高溫計對應于所述多個區域中的每一個區域。
2.如權利要求1所述的腔室,其中所述基板支撐件包含多個可獨立控制的電阻式加熱元件,所述多個可獨立控制的電阻式加熱元件被調整以響應由所述多個高溫計測量的溫度。
3.如權利要求1所述的腔室,其中所述多個區域包含第一區域和第二區域,所述第一區域具有圓形形狀并且設置在所述基板支撐件中央上,所述第二區域環繞所述第一區域。
4.如權利要求3所述的腔室,其中所述多個區域進一步包含第三區域、第四區域、第五區域和第六區域,并且其中所述第三區域、所述第四區域、所述第五區域和所述第六區域設置在所述第二區域的徑向向外處。
5.如權利要求4所述的腔室,其中所述第三區域、所述第四區域、所述第五區域和所述第六區域每個延伸圍繞所述基板支撐件的圓周約90度。
6.如權利要求1所述的腔室,其中所述腔室主體進一步包含熱絕緣襯里和流體管道,所述熱絕緣襯里設置在所述腔室主體的內表面上,所述流體管道形成在所述腔室主體中以容納溫度控制流體。
7.一種腔室,包含:
腔室主體,所述腔室主體包含鋁;
基板支撐件,所述基板支撐件設置在所述腔室主體內,所述基板支撐件具有多個區域,所述多個區域可被獨立地加熱以加熱定位在所述基板支撐件上的基板;以及
腔室蓋,所述腔室蓋設置在所述腔室主體上,所述腔室蓋包含:
蓋主體,所述蓋主體包含鋁,所述蓋主體具有圓形開口,所述圓形開口設置成穿過所述蓋主體;
反射板,所述反射板定位在所述圓形開口內,并且所述反射板具有表面,所述表面鄰近于所述基板支撐件的上表面;以及
多個高溫計,所述高溫計設置成穿過形成在所述反射板中的開口,以在遍及所述基板表面的多個位置處測量所述基板的溫度,其中所述多個高溫計中的每一個高溫計對應于所述多個區域中的一個所述區域。
8.如權利要求7所述的腔室,其中所述多個區域包含第一區域和第二區域,所述第一區域具有圓形形狀并且設置在所述基板支撐件中央上,所述第二區域環繞所述第一區域。
9.如權利要求8所述的腔室,其中所述多個區域進一步包含第三區域、第四區域、第五區域和第六區域,并且其中所述第三區域、所述第四區域、所述第五區域和所述第六區域設置在所述第二區域的徑向向外處。
10.如權利要求9所述的腔室,其中所述基板支撐件包含多個可獨立控制的電阻式加熱元件。
11.如權利要求10所述的腔室,其中所述多個可獨立控制的電阻式加熱元件被調整以響應由所述多個高溫計測量的溫度,并且其中所述腔室主體進一步包含熱絕緣襯里,所述熱絕緣襯里設置在所述腔室主體的內表面上。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





