[發(fā)明專利]固態(tài)圖像傳感器和電子設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201280048257.3
• 申請(qǐng)日: 2012-09-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103858235A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-06-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 若野壽史
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 索尼公司
• 主分類號(hào): H01L27/146
• 分類號(hào): H01L27/146;H04N5/374
• 代理公司: 北京信慧永光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11290
• 代理人: 陳桂香;褚海英

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及固態(tài)圖像傳感器和電子設(shè)備，更具體地，涉及能夠更有效地實(shí)施配線層中的導(dǎo)體層的數(shù)量減少的固態(tài)圖像傳感器和電子設(shè)備。?

背景技術(shù)

通常，諸如CMOS（Complementary?Metal?Oxide?Semiconductor：互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）圖像傳感器或CCD（Charge?Coupled?Device：電荷耦合器件）等固態(tài)圖像傳感器被廣泛地用于數(shù)碼相機(jī)或數(shù)碼攝像機(jī)等等。?

例如，入射到CMOS圖像傳感器上的入射光在像素內(nèi)所包含的PD（Photodiode：光電二極管）中經(jīng)受光電轉(zhuǎn)換。此外，在該P(yáng)D中生成的電荷經(jīng)由傳輸晶體管而被傳輸?shù)紽D（Floating?Diffusion：浮動(dòng)擴(kuò)散部）、接著被轉(zhuǎn)換成具有與光接收量相對(duì)應(yīng)的電平的像素信號(hào)、然后被讀取。?

此外，近年來(lái)，隨著固態(tài)圖像傳感器的小型化已經(jīng)減小了像素尺寸，并且已經(jīng)開(kāi)發(fā)了即使在微小的像素中也能夠獲得足夠特性的技術(shù)。例如，本申請(qǐng)的申請(qǐng)人曾提出一種能夠在背面照射型CMOS圖像傳感器中抑制飽和信號(hào)量的變化的技術(shù)（參見(jiàn)，專利文獻(xiàn)1）。?

引用列表?

專利文獻(xiàn)?

專利文獻(xiàn)1：日本專利申請(qǐng)?zhí)亻_(kāi)JP2011-114324A?

發(fā)明內(nèi)容

要解決的技術(shù)問(wèn)題?

順便提及的是，在傳統(tǒng)的固態(tài)圖像傳感器中，在設(shè)置有與像素連接的配線的配線層中形成有多個(gè)導(dǎo)體層（一般地，三層或更多層的金屬層）。通常，假設(shè)能夠通過(guò)減少導(dǎo)體層的數(shù)量來(lái)獲得實(shí)現(xiàn)成本降低的效果。然而，配線的布局是在各種條件（這些條件包括：對(duì)于入射到固態(tài)圖像傳?感器上的光的光學(xué)觀察點(diǎn)、與形成有用于驅(qū)動(dòng)固態(tài)圖像傳感器的邏輯電路的外圍電路平衡的觀察點(diǎn)）下予以進(jìn)行的，并且當(dāng)減少導(dǎo)體層的數(shù)量時(shí)，可能不會(huì)獲得有效的效果。?

本發(fā)明是鑒于上述這樣的情況而做出的，且本發(fā)明使得能夠更有效地實(shí)施配線層中的導(dǎo)體層的數(shù)量減少。?

解決問(wèn)題所采取的技術(shù)方案?

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，提出了一種固態(tài)圖像傳感器，其包括：半導(dǎo)體基板，在所述半導(dǎo)體基板中排列有多個(gè)像素；和配線層，所述配線層堆疊在所述半導(dǎo)體基板上，并且以將具有多條配線的多個(gè)導(dǎo)體層掩埋在絕緣膜中的方式而被形成。在所述配線層中，與所述像素連接的配線由兩個(gè)導(dǎo)體層形成。?

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，提出了一種電子設(shè)備，其含有固態(tài)圖像傳感器，所述固態(tài)圖像傳感器包括：半導(dǎo)體基板，在所述半導(dǎo)體基板中排列有多個(gè)像素，各所述像素均具有光電轉(zhuǎn)換元件；和配線層，所述配線層堆疊在所述半導(dǎo)體基板上，并且以將具有多條配線的多個(gè)導(dǎo)體層掩埋在絕緣膜中的方式而被形成。在所述配線層中，與所述像素連接的配線由兩個(gè)導(dǎo)體層形成。?

在本發(fā)明的一個(gè)方面中，將半導(dǎo)體基板（在所述半導(dǎo)體基板中排列有多個(gè)像素）和配線層（以將具有多條配線的多個(gè)導(dǎo)體層掩埋在絕緣膜中的方式來(lái)形成所述配線層）堆疊起來(lái)。此外，在所述配線層中，與所述像素連接的配線是由兩個(gè)導(dǎo)體層形成的。?

本發(fā)明的有益效果?

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，能夠更有效地實(shí)施配線層中的導(dǎo)體層的數(shù)量減少。?

附圖說(shuō)明

圖1是圖示了應(yīng)用了本發(fā)明的圖像傳感器的實(shí)施例的構(gòu)造示例的框圖。?

圖2是圖示了像素的構(gòu)造示例的電路圖。?

圖3是圖示了像素共用結(jié)構(gòu)的圖。?

圖4圖示了圖像傳感器的像素附近的截面構(gòu)造示例。?

圖5圖示了水平配線和垂直配線的布局的第一構(gòu)造示例。?

圖6圖示了水平配線和垂直配線的布局的第一構(gòu)造示例的變型例。?

圖7圖示了水平配線和垂直配線的布局的第二構(gòu)造示例。?

圖8圖示了水平配線和垂直配線的布局的第二構(gòu)造示例的變型例。?

圖9圖示了水平配線和垂直配線的布局的第三構(gòu)造示例。?

圖10圖示了水平配線和垂直配線的布局的第三構(gòu)造示例的變型例。?

圖11是圖示了安裝在電子設(shè)備上的成像器件的構(gòu)造示例的框圖。?

具體實(shí)施方式

在下文中，將參照附圖詳細(xì)地說(shuō)明應(yīng)用了本發(fā)明的具體實(shí)施例。?

圖1是圖示了應(yīng)用了本發(fā)明的圖像傳感器的實(shí)施例的構(gòu)造示例的框圖。?

圖像傳感器11是CMOS型固態(tài)圖像傳感器，并且如圖1所示，包括像素陣列單元12、垂直驅(qū)動(dòng)單元13、列處理單元14、水平驅(qū)動(dòng)單元15、輸出單元16和驅(qū)動(dòng)控制單元17。?