[發明專利]納米壓印方法和在納米壓印方法中采用的抗蝕劑組合物

有效

• 申請號: 201280048225.3
• 申請日: 2012-09-28
• 公開（公告）號: CN103843113A
• 公開（公告）日: 2014-06-04
• 發明（設計）人: 大松禎;中村和晴;若松哲史
• 申請（專利權）人: 富士膠片株式會社
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;C08F2/48
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 陳平

1.一種納米壓印方法，所述納米壓印方法包括以下步驟：

采用模型，所述模型在其表面上具有細微的凸凹圖案；

在將所述抗蝕劑組合物用所述凸凹圖案壓制的同時，將涂布在所要處理的基板上的抗蝕劑組合物曝光，以固化所述抗蝕劑組合物；以及

將所述模型與所述抗蝕劑組合物分離；其特征在于：

所述抗蝕劑組合物包括可聚合化合物和聚合引發劑，所述可聚合化合物和聚合引發劑各自具有吸收區域在250nm至500nm的范圍內的吸收光譜性質；

所述聚合引發劑的吸收區域的較長波長端波長比所述可聚合化合物的吸收區域的較長波長端波長長；并且

所述抗蝕劑組合物的曝光通過具有滿足下面的式1的光譜強度性質的光進行：

λb<λa≤λc??(1)

其中λa是與在所述曝光過程中照射的250nm至500nm的波長范圍內的光中的光譜強度性質相關的規定光發射波長，并且表示光發射強度相對于最大峰值波長處的光發射強度為10％處的朝向較短波端的規定光發射波長；

λb是與所述可聚合化合物的吸收光譜性質相關的規定吸收波長，并且表示光吸收相對于最大峰值波長處的光吸收為10％處的較長波長端處的規定吸收波長；并且

λc是與所述聚合引發劑的吸收光譜性質相關的規定吸收波長，并且表示光吸收相對于最大峰值波長處的光吸收為10％處的較長波長端處的規定吸收波長。

2.如權利要求1所述的納米壓印方法，其特征在于：

與所述抗蝕劑組合物中包含的全部所述可聚合化合物相關的Ohnishi參數的加權平均值為3.5以下；并且

與全部所述可聚合化合物相關的環參數的加權平均值為0.3以上。

3.如權利要求1和權利要求2中任一項所述的納米壓印方法，其特征在于：

與所述抗蝕劑組合物中包含的所述可聚合化合物中的至少一種相關的Ohnishi參數為3.5以下，所述至少一種可聚合化合物的環參數為0.3以上，并且所述至少一種可聚合化合物具有芳族基。

4.如權利要求1所述的納米壓印方法，其特征在于：

所述可聚合化合物包含選自由下面的通式I和通式II表示的化合物的至少一種化合物：

通式I

其中Z表示包含芳族基的基團，并且R¹表示氫原子，烷基，或鹵素原子

通式II

其中Ar₂表示具有芳族基和n價(n是1至3的整數)的連接基團，X₁表示單鍵或烴基，并且R¹表示氫原子，烷基，或鹵素原子。

5.如權利要求1至4中任一項所述的納米壓印方法，其特征在于：

所述聚合引發劑的吸收光譜性質的最大峰值波長為340nm以上。

6.如權利要求1至5中任一項所述的納米壓印方法，其特征在于：

所述規定光發射波長為340nm以上。

7.如權利要求1至6中任一項所述的納米壓印方法，其特征在于：

用于進行曝光的曝光系統配備有LED光源；并且

所述光的光譜強度性質中的最大峰值波長為350nm以上。

8.如權利要求7所述的納米壓印方法，其特征在于：

所述曝光系統配備有至少相對于具有300nm的波長的光具有1％以下的透射率的銳截止濾光片。

9.如權利要求7所述的納米壓印方法，其特征在于：

所述曝光系統配備有至少相對于具有340nm的波長的光具有1％以下的透射率的銳截止濾光片。

10.一種抗蝕劑組合物，所述抗蝕劑組合物將在權利要求1至9中任一項中所述的納米壓印方法中采用，其特征在于：

所述抗蝕劑組合物包含可聚合化合物和聚合引發劑，所述可聚合化合物和聚合引發劑各自具有吸收區域在250nm至500nm的范圍內的吸收光譜性質；并且

所述聚合引發劑的吸收區域的較長波長端波長比所述可聚合化合物的吸收區域的較長波長端波長長。