[發(fā)明專利]納米壓印裝置,納米壓印方法,變形壓印器件和變形壓印方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201280047790.8 | 申請日: | 2012-09-11 |
| 公開(公告)號: | CN103843111A | 公開(公告)日: | 2014-06-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 若松哲史;服部昭子 | 申請(專利權(quán))人: | 富士膠片株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/027 | 分類號: | H01L21/027;B29C59/02 |
| 代理公司: | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人: | 王鐵軍 |
| 地址: | 日本國*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 納米 壓印 裝置 方法 變形 器件 | ||
1.一種納米壓印裝置,其特征在于包括:
變形賦予器件,所述變形賦予器件將外力施加至壓印構(gòu)件上,以將所述壓印構(gòu)件保持在預(yù)定的彎曲狀態(tài),從而對所述壓印構(gòu)件賦予永久變形,所述壓印構(gòu)件是在其第一表面上具有微細的凹凸圖案的模型和在其第一表面上具有抗蝕劑的納米壓印用基板中的一個;以及
壓印單元,所述壓印單元采用其上賦予有永久變形的所述壓印構(gòu)件并且將所述模型的所述凹凸圖案按壓到設(shè)置在所述基板上的所述抗蝕劑上,以將所述凹凸圖案轉(zhuǎn)印至所述抗蝕劑上。
2.如權(quán)利要求1所述的納米壓印裝置,其特征在于:
所述變形賦予器件包括具有開口的框架并且包括壓力控制部,當(dāng)將所述壓印構(gòu)件在第一表面面對所述框架的內(nèi)部的情況下放置在所述開口處時,所述框架在所述壓印構(gòu)件的第一表面上方形成腔室,所述壓力控制部將所述腔室的內(nèi)部減壓或加壓。
3.如權(quán)利要求2所述的納米壓印裝置,其特征在于:
所述變形賦予器件還包括加熱部,所述加熱部加熱所述腔室的內(nèi)部。
4.如權(quán)利要求2和權(quán)利要求3中的任一項所述的納米壓印裝置,其特征在于:
所述變形賦予器件還包括脫模劑供應(yīng)部,所述脫模劑供應(yīng)部將脫模劑供應(yīng)至所述腔室的內(nèi)部。
5.如權(quán)利要求4所述的納米壓印裝置,其特征在于:
所述變形賦予器件還包括濕度控制部,所述濕度控制部控制所述腔室內(nèi)部的濕度。
6.如權(quán)利要求1所述的納米壓印裝置,其特征在于:
所述變形賦予器件包括支撐構(gòu)件和按壓構(gòu)件,所述支撐構(gòu)件支撐所述壓印構(gòu)件的外邊緣,所述按壓構(gòu)件在所述壓印構(gòu)件被所述支撐構(gòu)件支撐的同時按壓所述壓印構(gòu)件的第二表面。
7.一種納米壓印方法,其特征在于包括:
采用其上賦予有永久變形的壓印構(gòu)件;以及
將模型的凹凸圖案按壓至設(shè)置在基板上的抗蝕劑上,以將所述凹凸圖案轉(zhuǎn)印至所述抗蝕劑上。
8.一種變形賦予器件,其特征在于執(zhí)行將外力施加至壓印構(gòu)件上以將所述壓印構(gòu)件保持在預(yù)定的彎曲狀態(tài),從而對所述壓印構(gòu)件賦予永久變形的功能,所述壓印構(gòu)件是在其第一表面上具有微細的凹凸圖案的模型和在其第一表面上具有抗蝕劑的納米壓印用基板中的一個,所述變形賦予器件包括:
具有開口的框架,當(dāng)將所述壓印構(gòu)件在第一表面面對所述框架的內(nèi)部的情況下放置在所述開口處時,所述框架在所述壓印構(gòu)件的第一表面上方形成腔室;和
壓力控制部,所述壓力控制部將所述腔室的內(nèi)部減壓或加壓。
9.一種變形賦予器件,其特征在于執(zhí)行將外力施加至壓印構(gòu)件上以將所述壓印構(gòu)件保持在預(yù)定的彎曲狀態(tài),從而對所述壓印構(gòu)件賦予永久變形的功能,所述壓印構(gòu)件是在其第一表面上具有微細的凹凸圖案的模型和在其第一表面上具有抗蝕劑的納米壓印用基板中的一個,所述變形賦予器件包括:
支撐構(gòu)件,所述支撐構(gòu)件支撐所述壓印構(gòu)件的外邊緣;和
按壓構(gòu)件,所述按壓構(gòu)件在所述壓印構(gòu)件被所述支撐構(gòu)件支撐的同時按壓所述壓印構(gòu)件的第二表面。
10.一種變形賦予方法,其特征在于執(zhí)行該方法以將外力施加至壓印構(gòu)件上,以將所述壓印構(gòu)件保持在預(yù)定的彎曲狀態(tài),從而對所述壓印構(gòu)件賦予永久變形,所述壓印構(gòu)件是在其第一表面上具有微細的凹凸圖案的模型和在其第一表面上具有抗蝕劑的納米壓印用基板中的一個,所述變形賦予方法包括以下步驟:
采用權(quán)利要求8所述的變形賦予器件;
通過將所述壓印構(gòu)件在第一表面面對所述框架的內(nèi)部的情況下放置在所述框架的所述開口處,在所述壓印構(gòu)件的第一表面上方形成腔室;和
使用所述壓力控制部將所述腔室的內(nèi)部減壓或加壓。
11.如權(quán)利要求10所述的變形賦予方法,其特征在于:
所述變形賦予器件還包括脫模劑供應(yīng)部,所述脫模劑供應(yīng)部用于將脫模劑供應(yīng)至所述腔室的內(nèi)部;并且
所述脫模劑供應(yīng)部隨著所述腔室的內(nèi)部通過所述壓力控制部的減壓或加壓將所述脫模劑供應(yīng)至所述腔室的內(nèi)部。
12.一種變形賦予方法,其特征在于執(zhí)行該方法以將外力施加至壓印構(gòu)件上,以將所述壓印構(gòu)件保持在預(yù)定的彎曲狀態(tài),從而對所述壓印構(gòu)件賦予永久變形,所述壓印構(gòu)件是在其第一表面上具有微細的凹凸圖案的模型和在其第一表面上具有抗蝕劑的納米壓印用基板中的一個,所述變形賦予方法包括以下步驟:
采用權(quán)利要求9所述的變形賦予器件;
用所述支撐構(gòu)件支撐所述壓印構(gòu)件的外邊緣;和
在所述壓印構(gòu)件被所述支撐構(gòu)件支撐的同時,用所述按壓構(gòu)件按壓所述壓印構(gòu)件的第二表面。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





