[發明專利]微波處理系統中的等離子體調諧桿

有效

• 申請號: 201280047707.7
• 申請日: 2012-09-28
• 公開（公告）號: CN103890899A
• 公開（公告）日: 2014-06-25
• 發明（設計）人: 趙建平;陳立;麥里特·法克;巖尾俊彥;彼得·文特澤克
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 杜誠;陳煒

1.一種用于處理襯底的微波處理系統，包括：

矩形處理室，所述矩形處理室包括處理空間，所述處理空間中具有可移動的襯底保持器；

第一腔組件，所述第一腔組件利用第一接口組件耦合到所述矩形處理室，所述第一腔組件中具有第一電磁（EM）能量調諧空間，所述第一接口組件包括第一組隔離組件，其中，第一EM能量調諧空間中建立有第一組EM耦合區域；

第一組等離子體調諧桿，所述第一組等離子體調諧桿耦合到所述第一組隔離組件，所述第一組等離子體調諧桿具有被配置在所述處理空間中的第一組等離子體調諧部分，以及被配置在所述第一EM能量調諧空間中并且與所述第一組EM耦合區域中的至少之一耦合的第一組EM調諧部分；

第二腔組件，所述第二腔組件利用第二接口組件耦合到所述矩形處理室，所述第二腔組件中具有第二EM能量調諧空間，所述第二接口組件包括第二組隔離組件，其中，所述第二EM能量調諧空間中建立有第二組EM耦合區域；

第二組等離子體調諧桿，所述第二組等離子體調諧桿耦合到所述第二組隔離組件，所述第二組等離子體調諧桿具有被配置在所述處理空間中的第二組等離子體調諧部分，以及被配置在所述第二EM能量調諧空間中并且與所述第二組EM耦合區域中的至少之一耦合的第二組EM調諧部分；以及

控制器，所述控制器耦合到所述第一腔組件和所述第二腔組件，其中，所述控制器被配置成控制所述第一EM能量調諧空間中的所述第一組EM耦合區域以及所述第二EM能量調諧空間中的所述第二組EM耦合區域，由此控制所述處理空間中的等離子體均勻性。

2.根據權利要求1所述的微波處理系統，還包括：

第一耦合網絡，所述第一耦合網絡耦合到所述第一腔組件；

第一匹配網絡，所述第一匹配網絡耦合到所述第一耦合網絡；

第一EM源，所述第一EM源耦合到所述第一匹配網絡，其中，所述第一EM源被配置成在500MHz至5000MHz的頻率范圍中操作，其中，所述控制器耦合到所述第一EM源并且被配置成控制所述第一EM源，由此控制所述處理空間中的等離子體均勻性；

第二耦合網絡，所述第二耦合網絡耦合到所述第二腔組件；

第二匹配網絡，所述第二匹配網絡耦合到所述第二耦合網絡；

第二EM源，所述第二EM源耦合到所述第二匹配網絡，其中，所述第二EM源被配置成在500MHz至5000MHz的第二頻率范圍中操作，其中，所述控制器耦合到所述第二EM源并且被配置成控制所述第二EM源，由此控制所述處理空間中的等離子體均勻性。

3.根據權利要求1所述的微波處理系統，還包括：

第一等離子體調諧板，所述第一等離子體調諧板被配置成靠近所述第一EM能量調諧空間中的所述第一EM耦合區域；

第一控制組件，所述第一控制組件通過第一腔組件壁耦合到所述第一等離子體調諧板，所述第一等離子體調諧板被所述第一控制組件定位在與所述第一EM調諧部分相距第一EM耦合距離處；其中，所述控制器耦合到所述第一控制組件并且被配置成控制第一等離子體調諧距離，由此控制所述處理空間中的等離子體均勻性；

第二等離子體調諧板，所述第二等離子體調諧板被配置成靠近所述第二EM能量調諧空間中的所述第二EM耦合區域；

第二控制組件，所述第二控制組件通過第二腔組件壁耦合到所述第二等離子體調諧板，所述第二等離子體調諧板被所述第二控制組件定位在與所述第二EM調諧部分相距第二EM耦合距離處；其中，所述控制器耦合到所述第二控制組件并且被配置成控制第二等離子體調諧距離，由此控制所述處理空間中的等離子體均勻性。

4.根據權利要求1所述的微波處理系統，其中，所述第一組等離子體調諧桿、所述第一腔組件、所述第二組等離子體調諧桿和所述第二腔組件包含電介質材料。

5.根據權利要求1所述的微波處理系統，還包括：

氣體噴頭，所述氣體噴頭耦合到所述矩形處理室；

氣體供應子組件，所述氣體供應子組件耦合到所述氣體噴頭；以及

氣體供應系統，所述氣體供應系統耦合到所述氣體供應子組件，其中，所述氣體噴頭被配置成向所述處理空間引入處理氣體，其中，所述控制器耦合到所述氣體供應系統、所述氣體供應子組件和所述氣體噴頭，并且所述控制器被配置成控制所述氣體供應系統、所述氣體供應子組件和所述氣體噴頭，由此控制所述處理空間中的等離子體均勻性。