[發明專利]聚合物基諧振器天線

有效

• 申請號: 201280047692.4
• 申請日: 2012-06-11
• 公開（公告）號: CN103843198A
• 公開（公告）日: 2014-06-04
• 發明（設計）人: A·拉什黛安;D·克萊邁施恩;M·塔菲阿里戈達爾茲;S·C·阿亨巴赫;M·W·博納
• 申請（專利權）人: 薩斯喀徹溫大學;卡爾斯魯厄技術研究所
• 主分類號: H01Q9/04
• 分類號: H01Q9/04;H01Q13/18;G03F7/26;G03F7/20
• 代理公司: 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262
• 代理人: 張春媛;閻娬斌

1.一種介質諧振器天線，包括：

具有至少第一平坦表面的基板；

形成在基板的第一平坦表面上的饋線；

聚合物基諧振器本體，其包括布置在基板的第一平坦表面上和至少部分在饋線上的至少第一本體部分，其中第一本體部分至少部分限定在基本垂直于第一平坦表面的平面上延伸的腔，其中該腔暴露饋線的第一饋線部分；

布置在腔內的傳導饋電結構，該饋電結構電耦合到第一饋線部分并且遠離饋線延伸通過腔。

2.根據權利要求1所述的介質諧振器天線，其中該饋電結構遠離饋線延伸通過腔的量在腔高度的10-100%之間。

3.根據權利要求1或權利要求2所述的介質諧振器天線，其中第一本體部分由介質材料構成，該介質材料在制造之后保留。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的介質諧振器天線，其中聚合物基諧振器本體包括鄰接第一本體部分提供的第二本體部分。

5.根據權利要求4所述的介質諧振器天線，其中第二本體部分鄰接第一本體部分的外壁，并且其中饋電結構合適地接合在第一本體部分和第二本體部分之間。

6.根據權利要求4所述的介質諧振器天線，其中第二本體部分提供在腔內，并且饋電結構合適地接合在第二本體部分的外壁和第一本體部分的內壁之間。

7.根據權利要求4至6中任一項所述的介質諧振器天線，其中第二本體部分由與第一本體部分不同的材料構成。

8.根據權利要求1至7中任一項所述的介質諧振器天線，其中第一本體部分具有小于10的相對介電常數。

9.根據權利要求1至8中任一項所述的介質諧振器天線，其中聚合物基諧振器本體由純聚合物光致抗蝕劑材料構成。

10.根據權利要求1至8中任一項所述的介質諧振器天線，其中聚合物基諧振器本體由復合聚合物基光致抗蝕劑材料構成。

11.根據權利要求1至10中任一項所述的介質諧振器天線，進一步包括錐形饋線部分，該錐形饋線部分具有帶有第一寬度的第一側和帶有第二寬度的第二側，其中第二寬度比第一寬度寬，其中傳導饋電結構經由第二側的錐形饋線部分電耦合到饋線，并且其中饋線經由第一側的錐形饋線部分電耦合到傳導饋電結構。

12.一種介質諧振器天線，包括：

基板，其具有至少第一平坦表面；

反饋線，其形成在基板的第一平坦表面上；

聚合物基諧振器本體，其包括：

第一本體部分，其布置在基板的第一平坦表面上且至少部分在饋線上，其中第一本體部分限定在基本垂直于第一平坦表面的平面上延伸的第一腔和第一腔的壁與第一本體部分的外壁之間的第二腔，其中第二腔暴露饋線的第一饋線部分；和

第二本體部分，其提供在第一本體部分內；和

傳導饋電結構，其布置在第二腔內，該饋電結構電耦合到第一饋線部分并遠離饋線延伸通過第二腔。

13.一種制造介質諧振器天線的方法，該方法包括：

形成具有至少第一平坦表面的基板；

在基板的第一平坦表面上沉積并圖案化饋線；

形成聚合物基諧振器本體，其包括在基板的第一平坦表面上和至少部分在饋線上的至少第一本體部分；

經由圖案掩模將聚合物基諧振器本體暴露于光刻源，其中圖案掩模限定將要形成在聚合物基諧振器本體中的腔，該腔在基本垂直于第一平坦表面的平面中延伸并至少部分暴露饋線的第一饋線部分；

顯影聚合物基諧振器本體的至少一個暴露部分，并移除該至少一個暴露部分以呈現出腔；

在腔內沉積傳導饋電結構，該饋電結構電耦合到第一饋線部分并遠離饋線延伸通過腔。

14.根據權利要求13所述的方法，其中進行多次所述形成，以逐漸增加聚合物基諧振器本體的厚度。

15.根據權利要求13或權利要求14所述的方法，其中所述形成包括接合至少一個聚合物基材料薄片。

16.根據權利要求13所述的方法，其中所述形成包括模鑄聚合物基諧振器本體并在200℃以下的溫度下烘焙。

17.根據權利要求13至16中任一項所述的方法，其中光刻源是X射線源。