[發明專利]TWIP和納米孿晶奧氏體不銹鋼及其制備方法有效
| 申請號: | 201280047647.9 | 申請日: | 2012-09-25 |
| 公開(公告)號: | CN103857813A | 公開(公告)日: | 2014-06-11 |
| 發明(設計)人: | 烏爾麗卡·伊薩克松;柴國才 | 申請(專利權)人: | 山特維克知識產權股份有限公司 |
| 主分類號: | C22C38/00 | 分類號: | C22C38/00;C22C38/40;C22C38/42;C22C38/44;C22C38/58;C21D8/02 |
| 代理公司: | 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219 | 代理人: | 張爽;郭國清 |
| 地址: | 瑞典桑*** | 國省代碼: | 瑞典;SE |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | twip 納米 奧氏體 不銹鋼 及其 制備 方法 | ||
1.制備TWIP和納米孿晶奧氏體不銹鋼的方法,特征在于如下步驟:
—提供奧氏體不銹鋼,該奧氏體不銹鋼含有不超過0.018wt%的C、0.25~0.75wt%的Si、1.5~2wt%的Mn、17.80~19.60wt%的Cr、24.00~25.25wt%的Ni、3.75~4.85wt%的Mo、1.26~2.78wt%的Cu、0.04~0.15wt%的N和余量的Fe,以及不可避免的雜質;
—使所述奧氏體不銹鋼達到低于0℃的溫度;和
—在該溫度下將塑性變形賦予所述奧氏體鋼至對應于至少30%的塑性變形的程度,使得在所述材料中形成納米孿晶。
2.根據權利要求1所述的方法,其中在將所述塑性變形賦予所述材料之前,使所述材料達到低于-50℃的溫度。
3.根據權利要求1所述的方法,其中在將所述塑性變形賦予所述材料之前,使所述材料達到低于-75℃的溫度。
4.根據前述權利要求中任一項所述的方法,其中通過拉伸將所述塑性變形賦予所述材料。
5.根據權利要求1至3中任一項所述的方法,其中通過來自于例如滾動的壓縮將所述塑性變形賦予所述材料。
6.根據前述權利要求中任一項所述的方法,其中使所述材料塑性變形至對應于至少40%的塑性變形的程度。
7.根據前述權利要求中任一項所述的方法,其中使所述材料塑性變形至對應于至少50%的塑性變形的程度。
8.根據前述權利要求中任一項所述的方法,其中間歇地將所述塑性變形賦予所述材料,其中每次變形小于10%,優選每次變形小于6%,和更優選每次變形小于4%。
9.根據前述權利要求中任一項所述的方法,其中在每秒超過0.15%,優選每秒超過0.35%的速度下將所述塑性變形賦予所述材料。
10.根據前述權利要求中任一項所述的方法,其中在低于每秒3.5%,優選低于每秒1.5%的速度下將所述塑性變形賦予所述材料。
11.一種奧氏體不銹鋼材料,其特征在于該奧氏體不銹鋼材料是納米孿晶奧氏體鋼,該奧氏體鋼含有不超過0.018wt%的C、0.25~0.75wt%的Si、1.5~2wt%的Mn、17.80~19.60wt%的Cr、24.00~25.25wt%的Ni、3.75~4.85wt%的Mo、1.26~2.78wt%的Cu、0.04~0.15wt%的N和余量的Fe,以及不可避免的雜質;和特征在于在所述材料中的平均納米級間距低于1000nm,和特征在于所述納米孿晶密度高于35%。
12.根據權利要求11所述的奧氏體不銹鋼材料,其中在所述材料中的平均納米級間距低于500nm。
13.根據權利要求11所述的奧氏體不銹鋼材料,其中在所述材料中的平均納米級間距低于300nm。
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