[發明專利]半導體器件

有效

• 申請號: 201280047630.3
• 申請日: 2012-09-20
• 公開（公告）號: CN103843146A
• 公開（公告）日: 2014-06-04
• 發明（設計）人: 本田達也;津吹將志;野中裕介;島津貴志;山崎舜平
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;G02F1/1368;H01L21/336
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 葉曉勇;胡莉莉

1.?一種半導體器件，包括：

絕緣膜；

氧化物半導體膜，在所述絕緣膜之上并且與其接觸；

源電極和漏電極，電連接到所述氧化物半導體膜；以及

柵電極，與所述氧化物半導體膜相鄰，

其中，所述絕緣膜包含硅和氧，

所述氧化物半導體膜包含與所述絕緣膜相接觸的第一區域，以及

所述第一區域中的硅的濃度低于或等于1.0?at.％。

2.?如權利要求1所述的半導體器件，其中，所述柵電極隔著所述絕緣膜而位于所述氧化物半導體膜之下。

3.?如權利要求2所述的半導體器件，還包括在所述柵極之上的溝道保護膜。

4.?如權利要求2所述的半導體器件，還包括其中包含硅和氧的保護絕緣膜，其中所述保護絕緣膜覆蓋所述氧化物半導體膜、所述源電極和所述漏電極。

5.?如權利要求1所述的半導體器件，

其中，所述第一區域的厚度為5?nm，以及

與所述氧化物半導體膜的所述第一區域不同的區域中包含的硅的濃度低于所述第一區域中包含的硅的濃度。

6.?如權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一區域中包含的硅的濃度低于或等于0.1?at.%。

7.?如權利要求1所述的半導體器件，

其中，所述絕緣膜包含碳，以及

所述第一區域中的碳的濃度低于或等于1.0?×?10²⁰?原子/cm³。

8.?如權利要求1所述的半導體器件，其中，所述氧化物半導體膜具有結晶性。

9.?如權利要求1所述的半導體器件，其中，所述氧化物半導體膜具有非晶結構。

10.?如權利要求9所述的半導體器件，其中，所述氧化物半導體膜包含晶體部分。

11.?一種半導體器件，包括：

第一絕緣膜；

氧化物半導體膜，在所述第一絕緣膜之上并且與其接觸；

源電極和漏電極，電連接到所述氧化物半導體膜；

柵電極，與所述氧化物半導體膜相鄰；以及

第二絕緣膜，在所述氧化物半導體膜之上并且與其接觸，

其中，所述第一絕緣膜包含硅和氧，

所述氧化物半導體膜包含與所述第一絕緣膜相接觸的第一區域，

所述第一區域的厚度為5?nm，

所述第一區域中的硅的濃度低于或等于1.0?at.％，

所述第二絕緣膜包含硅和氧，

所述氧化物半導體膜包含與所述第二絕緣膜相接觸的第二區域，

所述第二區域的厚度為5?nm，

所述第二區域中的硅的濃度高于1.0?at.％，以及

與所述氧化物半導體膜的所述第一區域和所述第二區域不同的區域中包含的硅的濃度低于所述第一區域中包含的硅的濃度。

12.?如權利要求11所述的半導體器件，其中，所述柵電極隔著所述第一絕緣膜而位于所述氧化物半導體膜之下。

13.?如權利要求12所述的半導體器件，其中，所述第二絕緣膜是溝道保護膜。

14.?如權利要求12所述的半導體器件，其中，所述第二絕緣膜是覆蓋所述氧化物半導體膜、所述源電極和所述漏電極的保護絕緣膜。

15.?如權利要求11所述的半導體器件，其中，所述第一區域中包含的硅的濃度低于或等于0.1?at.%。

16.?如權利要求11所述的半導體器件，

其中，所述第一絕緣膜包含碳，以及

所述第一區域中的碳的濃度低于或等于1.0?×?10²⁰?原子/cm³。

17.?如權利要求11所述的半導體器件，其中，所述氧化物半導體膜具有結晶性。

18.?如權利要求11所述的半導體器件，其中，所述氧化物半導體膜具有非晶結構。

19.?如權利要求18所述的半導體器件，其中，所述氧化物半導體膜包含晶體部分。