[發明專利]用于聚合物基底上柔性光電裝置的多層薄膜后接觸系統

無效

• 申請號: 201280047345.1
• 申請日: 2012-08-10
• 公開（公告）號: CN103828063A
• 公開（公告）日: 2014-05-28
• 發明（設計）人: 勞倫斯·M·伍茲;霍巴特·史蒂文斯;約瑟夫·H·阿姆斯特朗
• 申請（專利權）人: 阿森特太陽能技術公司
• 主分類號: H01L31/032
• 分類號: H01L31/032;H01L31/0392
• 代理公司: 北京英賽嘉華知識產權代理有限責任公司 11204
• 代理人: 余朦;王艷春

1.用于光電元件的聚合物基底和背接觸結構，包括：

聚合物基底，具有裝置側以及與所述裝置側相對的背側，其中，所述光電元件可位于所述裝置側；

電介質層，在所述聚合物基底的所述背側形成；以及

金屬結構，在所述聚合物基底的所述裝置側形成。

2.如權利要求1所述的結構，其中，所述光電元件包括CIGS結構。

3.如權利要求1所述的結構，其中，所述電介質包括SiO₂、Al₂O₃和硅樹脂中的至少一種。

4.如權利要求3所述的結構，還包括設置在所述聚合物基底的所述背側與所述電介質層之間的薄黏附層。

5.如權利要求4所述的結構，其中，所述黏附層包括鉬、鋁、鉻、鈦、氮化鈦（TiN）、金屬氧化物和金屬氮化物中的至少一種。

6.如權利要求1所述的結構，其中，所述金屬結構包括第一金屬層，所述第一金屬層包括鋁、黃銅、青銅和銅中的至少一種。

7.如權利要求6所述的結構，其中，所述金屬結構還包括在所述第一金屬層之上形成的鉬層。

8.如權利要求6所述的結構，其中，所述金屬結構還包括設置在所述聚合物基底的所述裝置側與所述第一金屬層之間的薄黏附層。

9.如權利要求8所述的結構，其中，所述薄黏附層包括鉬、鋁、鉻、鈦、氮化鈦（TiN）、金屬氧化物和金屬氮化物中的至少一種。

10.如權利要求1所述的結構，其中，所述金屬結構還包括與所述聚合物層的所述裝置側相接觸的薄黏附層。

11.如權利要求10所述的結構，其中，所述薄黏附層包括鉬、鋁、鉻、鈦、氮化鈦（TiN）、金屬氧化物和金屬氮化物中的至少一種。

12.一種光電元件，其包括：

CIGS光電結構；

聚合物基底，具有裝置側以及與所述裝置側相對的背側，其中，所述CIGS光電結構可位于所述裝置側；

電介質層，在所述聚合物基底的所述背側形成；以及

金屬結構，在所述聚合物基底的所述裝置側形成，位于所述聚合物基底與所述CIGS光電結構之間。

13.如權利要求12所述的光電元件，其中，所述電介質包括SiO₂、Al₂O₃和硅樹脂中的至少一種。

14.如權利要求12所述的光電元件，其中，所述電介質包括由鋁和硅中的一個形成的氮氧化物。

15.如權利要求12所述的光電元件，還包括設置在所述聚合物基底的所述背側與所述電介質層之間的薄黏附層。

16.如權利要求15所述的光電元件，其中，所述薄黏附層包括鉬、鋁、鉻、鈦、氮化鈦（TiN）、金屬氧化物和金屬氮化物中的至少一種。

17.如權利要求12所述的光電元件，其中，所述金屬結構包括第一金屬層，所述第一金屬層包括鋁、黃銅、青銅和銅中的至少一種。

18.如權利要求17所述的光電元件，其中，所述金屬結構還包括在所述第一金屬層之上形成的鉬層。

19.如權利要求17所述的光電元件，其中，所述金屬結構還包括設置在所述聚合物基底的所述裝置側與所述第一金屬層之間的薄黏附層。

20.如權利要求19所述的光電元件，其中，所述薄黏附層包括鉬、鋁、鉻、鈦、氮化鈦（TiN）、金屬氧化物和金屬氮化物中的至少一種。

21.如權利要求12所述的光電元件，其中，所述金屬結構還包括與所述聚合物層的所述裝置側相接觸的薄黏附層。

22.如權利要求21所述的光電元件，其中，所述薄黏附層包括鉬、鋁、鉻、鈦、氮化鈦（TiN）、金屬氧化物和金屬氮化物中的至少一種。