[發(fā)明專利]包括具有穩(wěn)定組成的氮氧化物覆蓋層的EUV反射鏡、EUV光刻設(shè)備和操作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201280047176.1
• 申請(qǐng)日: 2012-09-18
• 公開（公告）號(hào): CN103827701B
• 公開（公告）日: 2018-06-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: G.范布蘭肯哈根;D.H.埃姆
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 卡爾蔡司SMT有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): G02B5/08
• 分類號(hào): G02B5/08;G21K1/06;G03F7/20;C23C16/34
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 邱軍

本發(fā)明涉及一種用在例如EUV光刻設(shè)備或EUV掩模度量系統(tǒng)中的反射鏡(13)，包括：基板(15)和反射EUV輻射(6)的涂層(16)，所述反射涂層具有由氮氧化物構(gòu)成，尤其由SiN_XO_Y構(gòu)成的覆蓋層(18)，其中，氮氧化物N_XO_Y中的氮比例x在0.4和1.4之間。本發(fā)明還涉及一種包括至少一個(gè)這種EUV反射鏡(13)的EUV光刻設(shè)備以及一種操作這種EUV光刻設(shè)備的方法。

相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

本申請(qǐng)根據(jù)35U.S.C.§119(a)要求于2011年9月27日提交的德國(guó)專利申請(qǐng)No.102011083462的優(yōu)先權(quán)，該申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容被認(rèn)為是本申請(qǐng)的一部分，并通過引用并入本文。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種包括基板和反射EUV輻射的涂層的反射鏡、一種包括至少一個(gè)這種反射鏡的EUV光刻設(shè)備和一種用于操作這種EUV光刻設(shè)備的方法。不必說，該反射鏡還可用在除EUV光刻設(shè)備之外的不同光學(xué)裝置中，例如EUV掩模度量系統(tǒng)。

背景技術(shù)

用于微光刻的投射曝光設(shè)備用于利用光刻方法制造微結(jié)構(gòu)部件。在該情況下，結(jié)構(gòu)承載掩模(所謂的掩模母版)借助于投射光學(xué)單元成像在光敏層上。借助于這種投射光學(xué)單元可成像的最小結(jié)構(gòu)尺寸由所使用的成像光的波長(zhǎng)確定。所使用的成像光的波長(zhǎng)越小，借助于投射光學(xué)單元可成像的結(jié)構(gòu)較小。在所謂的EUV光刻設(shè)備中，現(xiàn)今主要使用具有193nm波長(zhǎng)的成像光或具有在極紫外(EUV)范圍內(nèi)(即5nm至30nm)的波長(zhǎng)的成像光。反射光學(xué)元件(EUV反射鏡)僅用在EUV光刻設(shè)備中，因?yàn)樵谶@些波長(zhǎng)處具有足夠高透射率的光學(xué)材料是未知的。

用于這種EUV光刻設(shè)備的EUV反射鏡包括基板和具有多個(gè)層的反射涂層，所述反射涂層施加到基板。這種多層涂層通常包括由具有高和低折射率的材料構(gòu)成的交替層，例如由鉬和硅構(gòu)成的交替層，它們的層厚度彼此配合，使得涂層完成其光學(xué)功能，并確保高反射率。多層涂層通常具有覆蓋層，以保護(hù)下面的層免受氧化或其它退化機(jī)制。所述覆蓋層可由金屬材料構(gòu)成，例如由釕、銠或鈀構(gòu)成。

EP1065568A2公開了使用碳化物作為覆蓋層的材料，例如碳化硼(B₄C)或碳化硅(SiC)。氮化物(例如氮化硅(Si₃N₄)或氮化鈦(TiN))在此也可被指定作為覆蓋層的材料。類似地，US2006/0066940A1描述了包括覆蓋層系統(tǒng)的EUV反射鏡，其中，除氮化硅(Si₃N₄)以外的氮化硼(BN)以及除碳化硼(B₄C)以外的碳化鉬(MoC)也可被提出作為覆蓋層系統(tǒng)的材料。

US2008/0316595A1還公開了一種用于EUV應(yīng)用的多層反射鏡，其中，特別地，氮化硅用作覆蓋層材料。由于EUV反射鏡的基板材料通常不能經(jīng)受過高的溫度，所以提出了通過包括等離子體增強(qiáng)化學(xué)汽相沉積(PE-CVD)和低壓化學(xué)汽相沉積(LP-CVD)的化學(xué)汽相沉積(CVD)實(shí)施覆蓋層。與常規(guī)化學(xué)汽相沉積的情況相比，這些涂層方法允許在較低溫度下沉積。

由氮化硅構(gòu)成的覆蓋層具有的優(yōu)點(diǎn)是，對(duì)于金屬沉積物(例如錫)，它們具有比較低的粘附率，使得包括這種覆蓋層的EUV反射鏡可用在例如LPP(激光產(chǎn)生的等離子體)光源附近，該LPP光源可釋放氣態(tài)錫。而且，由氮化硅構(gòu)成的覆蓋層(其上沉積有錫)可通常通過使用活性氫(例如氫原子團(tuán)或氫離子形式)的清潔而完全沒有錫沉積物。對(duì)比之下，例如在覆蓋層由釕構(gòu)成的情況下，通常有以下問題：即使在這種氫清潔之后，錫殘留物仍留在覆蓋層表面上并導(dǎo)致EUV反射鏡的反射率下降和/或反射率的均勻性下降。

在包括由氮化硅構(gòu)成的覆蓋層的EUV反射鏡(位于EUV光刻設(shè)備中)的曝光操作期間，已發(fā)現(xiàn)，在覆蓋層的氫清潔期間，通常不能達(dá)到期望的結(jié)果，即可逆地清潔覆蓋層的表面以去除錫沉積物或碳沉積物。

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明目的