[發明專利]反射型曝光用掩模坯及反射型曝光用掩模

有效

• 申請號: 201280047151.1
• 申請日: 2012-09-24
• 公開（公告）號: CN103858209B
• 公開（公告）日: 2017-06-06
• 發明（設計）人: 小寺豐;坂田陽;今真人
• 申請（專利權）人: 凸版印刷株式會社
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;G03F1/24;G03F1/54;G03F1/60;G03F7/20
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所11256
• 代理人: 楊宏軍,王大方

1.一種反射型掩模坯，包括：

基板；

形成在所述基板上、且將曝光的光進行反射的多層反射膜；

形成在所述多層反射膜上、且保護所述多層反射膜的保護膜；

形成在所述保護膜上、且將曝光的光進行吸收的吸收膜；以及

形成在所述基板的、與形成有所述多層反射膜的面相反的面上的導電膜，

所述基板厚度為6.35mm，由以石英(SiO₂)為主成分且包含氧化鈦(TiO₂)的材料形成，

所述多層反射膜由多層構造形成，所述多層構造是通過在所述基板上以最上層為硅(Si)的方式交替地層合40對、共計80層的、4.2nm的鉬(Mo)、2.8nm的硅(Si)而形成的，

所述保護膜形成在所述多層反射膜上，且具有單層構造，所述單層構造由0.5nm至3nm的釕(Ru)形成，

所述吸收膜形成在所述保護膜上，且具有層合構造，所述層合構造是在以鉭(Ta)為母材且包含硅(Si)的化合物形成的20nm至150nm的構造上、作為最上層進一步層合5nm至20nm的以鉭(Ta)為母材且包含硅(Si)的化合物的材料而形成的，

所述導電膜具有單層構造，所述單層構造為100nm氧化銦錫(ITO)形成的背面導電膜，

并且，對所述反射型掩模坯而言，反射光在波長250nm至850nm的范圍內的平均反射率為13.5％，所述反射光為從吸收膜入射、透過基板在導電膜處反射、再次透過基板而從吸收膜射出的光。

2.一種反射型掩模，其如下形成：在權利要求1所述的反射型掩模坯中，通過選擇性地除去所述吸收膜而形成電路圖案，在所述電路圖案周圍的區域通過選擇性地除去所述吸收膜、所述保護膜和所述多層反射膜而形成遮光框，由此形成所述反射型掩模。