[發(fā)明專利]具有保形涂布到復(fù)雜表面上以提供防潮的具有晶體特性的薄屏障膜的光電子器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201280046927.8
• 申請日: 2012-07-27
• 公開（公告）號: CN103999237B
• 公開（公告）日: 2016-11-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: R·K·費(fèi)斯特;B·S·托森;S·A·坎貝爾;E·艾迪爾
• 申請（專利權(quán)）人: 陶氏環(huán)球技術(shù)有限責(zé)任公司;明尼蘇達(dá)大學(xué)董事會
• 主分類號: H01L31/048
• 分類號: H01L31/048;H01L23/29
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 吳亦華

1.光電子器件，其包含：

·表面，所述表面具有使得所述表面的至少第一和第二平面部分在一個或多個交接處會合的形貌；和

·保形屏障涂層，其以有效順應(yīng)所述平面部分和所述交接處的方式提供在所述表面上，其中所述屏障涂層具有包含嵌入無機(jī)非晶基質(zhì)中的無機(jī)晶體域的混雜形態(tài)。

2.權(quán)利要求1的光電子器件，其中所述器件包含與透明電極層電耦合的電子?xùn)牛渲兴鲭娮訓(xùn)藕退鐾该麟姌O層的至少部分限定所述保形屏障涂層提供在其上的所述表面的至少一部分。

3.任一前述權(quán)利要求的光電子器件，其中所述器件包含吸收區(qū)，所述吸收區(qū)包含含有銅和銦的光電活性材料。

4.任一前述權(quán)利要求的光電子器件，其中所述表面具有包含多個交接處的形貌，所述交接處包含多個內(nèi)轉(zhuǎn)角和多個外轉(zhuǎn)角。

5.任一前述權(quán)利要求的光電子器件，其中所述表面包含至少部分地由至少一個第一導(dǎo)電部件和至少一個第二導(dǎo)電部件提供的多個交接處。

6.任一前述權(quán)利要求的光電子器件，其中所述保形屏障涂層包含任選氟摻雜的錫氧化物。

7.任一前述權(quán)利要求的光電子器件，其中所述保形屏障涂層的至少50體積%是非晶的。

8.權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)的光電子器件，其中所述保形屏障涂層的非晶含量與晶體含量的體積百分比比率在1:1至10:1的范圍內(nèi)。

9.權(quán)利要求7或8的光電子器件，其中所述屏障涂層的晶體域的主要部分具有在2nm至10nm范圍內(nèi)的尺寸。

10.任一前述權(quán)利要求的光電子器件，其中所述屏障涂層具有10^-1Ohm-cm或更小的電阻率。

11.任一前述權(quán)利要求的光電子器件，其中沉積的所述屏障涂層從300nm至1400nm的透光率為至少75%。

12.任一前述權(quán)利要求的光電子器件，其中所述屏障涂層具有在150nm至1000nm范圍內(nèi)的厚度。

13.制造光電子器件的方法，所述方法包括以下步驟：

·提供光電子襯底，所述襯底包含吸收區(qū)、與所述吸收區(qū)電耦合的至少第一和第二電極層及與所述第一電極層電耦合的電子?xùn)牛渲兄辽偎龅谝浑姌O層對于可見光是至少部分可透過的，并且其中所述第一電極層和所述電子?xùn)畔薅ò鄠€交接處的表面；

·在所述表面上形成保形的無機(jī)屏障涂層，其中所述屏障涂層具有包含嵌入無機(jī)非晶基質(zhì)中的無機(jī)晶體域的混雜形態(tài)。

14.權(quán)利要求13的方法，其中所述形成步驟包括將一種或多種靶材濺射到所述表面上，其中至少一種所述靶材包含錫氧化物，并且其中所述表面在150℃或更低的溫度下。