[發明專利]具有發光材料的光源和所屬的照明單元

有效

• 申請號: 201280046522.4
• 申請日: 2012-09-05
• 公開（公告）號: CN103827258A
• 公開（公告）日: 2014-05-28
• 發明（設計）人: 芭芭拉·胡肯貝克;崔海玲;弗蘭克·耶爾曼
• 申請（專利權）人: 歐司朗股份有限公司;歐司朗光電半導體有限公司
• 主分類號: C09K11/08
• 分類號: C09K11/08;C09K11/77;H01L33/50
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 丁永凡;張春水

1.一種具有初級輻射源的光源，所述初級輻射源發射在光學光譜范圍的短波范圍中的波長范圍420nm至480nm中的輻射，其中所述輻射至少借助于第一發光材料完全地或者部分地轉換成在可見光譜范圍中的波長更長的次級輻射，其中所述第一發光材料出自氮化物改性的正硅酸鹽（NOS）的類別，所述正硅酸鹽從結構M2SiO4:D中導出，其特征在于，所述發光材料主要單獨地或者組合地具有EA=Sr、Ba、Ca或Mg作為成分M，其中用于激活的摻雜物D至少由Eu構成并且替代M的份額，并且其中以不足的方式引入SiO2的份額，使得存在改性的亞化學計量的正硅酸鹽，其中所述正硅酸鹽是借助RE和N穩定的正硅酸鹽，其中RE=稀土金屬，使得配方化學計量相應于式EA_2-x-aRE_xEu_aSi_1-yO_4-x-2yN_x，其中RE=單獨的或組合的La或Lu或Dy或Yb，并且其中NOS的半值寬度FWHM至多為90nm。

2.根據權利要求1所述的光源，其特征在于，Eu的份額a在a=0.01和0.20之間。

3.根據權利要求1所述的光源，其特征在于，EA包含至少66摩爾%的Sr和/或Ba，尤其具有最大為5摩爾%的Ca的份額并且尤其具有最大為30摩爾%的Mg的份額，其中EA優選為由Sr和Ba在Sr/Ba=0.3至2.3的情況下組成的混合物，優選為由Sr和Ba在Sr/Ba=0.8至1.2的情況下組成的混合物，并且尤其優選為由Sr和Ba在Sr/Ba=0.9至1.1的情況下組成的混合物。

4.根據權利要求1所述的光源，其特征在于，份額x在0.002和0.02之間。

5.根據權利要求1所述的光源，其特征在于，對于上述不足而言決定性的因數y位于0<y≤0.1的范圍中，優選地位于0.002≤y≤0.02之間。

6.根據權利要求1所述的光源，其特征在于，所述初級輻射源發射藍色的在波長范圍440nm至470nm中的輻射，其中所述輻射借助于所述第一發光材料部分地轉換成在可見光譜范圍中的綠色的次級輻射，尤其是具有在范圍510nm至540nm中的峰值發射的次級輻射。

7.根據權利要求6所述的光源，其特征在于，采用基于InGaN或InGaAlP的發光二極管作為初級輻射源。

8.根據權利要求6所述的光源，其特征在于，初級輻射的一部分還借助于另外的發光材料轉換成波長更長的輻射，其中至少一種發光材料具有至多為90nm的FWHM。

9.根據權利要求8所述的光源，其特征在于，第二發光材料在所述光源的上游接入，所述第二發光材料發射紅色并且尤其出自AEAlSiN3:Eu的類別，其中AE=單獨的或組合的Ca和/或Sr。

10.一種轉換型LED，所述轉換型LED具有發射初級輻射的芯片以及在芯片的上游接入的包含至少一種發光材料的層，所述發光材料將所述芯片的所述初級輻射的至少一部分轉換成次級輻射，所述發光材料出自氮化物改性的正硅酸鹽（NOS）的類別，所述正硅酸鹽從結構M2SiO4:D中導出，其特征在于，所述發光材料主要單獨地或者組合地具有EA=Sr、Ba、Ca或Mg作為成分M，其中用于激活的摻雜物D至少由Eu組成并且替代M的份額，并且其中以不足的方式引入SiO2的份額，使得存在改性的亞化學計量的正硅酸鹽，其中所述正硅酸鹽是借助RE和N穩定的正硅酸鹽，其中RE=稀土金屬，使得配方化學計量相應于式EA_2-x-aRE_xEu_aSi_1-yO_4-x-2yN_x，其中RE=單獨的或組合的La或Lu或Dy或Yb，并且其中NOS的半值寬度FWHM至多為90nm。

11.根據權利要求10所述的轉換型LED，其特征在于，作為另外的發光材料應用改性的CaAlSiN3:Eu。

12.根據權利要求10所述的轉換型LED，其特征在于，包含發光材料的所述層是澆注樹脂、硅樹脂或玻璃。

13.根據權利要求10所述的轉換型LED，其特征在于，包含發光材料的所述層是澆注樹脂，其中采用SiO2作為另外的填充材料。